Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wavelength tuning in Er³⁺,Yb³⁺:glass microchip lasers

Młyńczak J., Kopczyński K., Mierczyk Z.

Opto-Electronics Review

|

2009

|

Vol. 17, No. 1

84-88

EN

The paper presents the investigation results of laser generation around 1.5 µm at different wavelengths. The shifts of the wavelength were achieved by the change of pump power, transmission of an output mirror, and length of an active medium. Mathematical analysis and explanation of this phenomenon was curried out on the basis of the change in relation between the gain and loss lines.

2

Przestrajalne lasery półprzewodnikowe

Stępiński P.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Fizyka

|

2003

|

z. 51

3-88

PL

Praca poświęcona jest jednym z najważniejszych przurządów połprzewodnikowych, tj. przestrajalnym źródłom promieniowania koherentnego. Zawarto w niej skondensowany opis fizyki wzbudzenia akcji laserowej w strukturze z rezonatorem Fabry-Perota, opis podstawowych zjawisk optycznych, które determinują długość fali promieniowania generowanego w materiałach półprzewodnikowych oraz podstawowych mechanizmów prowadzących do przestrajania długości fali promieniowania generowanego w laserach półprzewodnikowych. Zaprezentowano bogatą rodzinę półprzewodnikowych laserów przestrajalnych, usystematyzowaną w dwóch podstawowych grupach - konstrukcjach z zewnętrznym rezonatorem oraz zintegrowanych. Na podstawie obficie cytowanej literatury światowej oraz własnych prac autora dokonano przeglądu konkretnych rozwiązań, przedstawiając opisy stosowanych metod strojenia wraz z tłumaczeniem zjawisk fizycznych stanowiących ich podstawę.

EN

This papers deals with one of the most important semiconductor devices, i.e. tunable sources of coherent radiation. The paper briefly describes the physics of laser action generation in Fabry-Perot resonator structures, describes the basic optical phenomena which determine the wavelenght tuning in semiconductor laser. It presents the hudge family of tunable semiconductor lasers divided into two basic groups: structures with external resonators and integrated structures. On the basis of abundantly cited international references, along with the authors own research the paper reviews existing solutions, describes tuning methods applied and explains the physical phenomena behind them.

3

Lasery półprzewodnikowe o przestrajalnej długości fali: perspektywy aplikacji w sieciach optycznych

Mroziewicz B.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2002

|

nr 3

143-147

PL

Omówiono możliwości zwiększania przepływności optycznych sieci telekomunikacyjnych drogą przechodzenia do wyższych szybkości transmisji w systemach ze zwielokrotnieniem czasowym (TDM) lub zmniejszania odstępu między kanałami w systemach ze zwielokrotnieniem falowym (WDM). Na tym tle przedstawiono perspektywy zastosowania przestrajalnych laserów półprzewodnikowych.

EN

Expected increase of data transmission rates in optical networks achieved due to faster TDM or denser WDM systems is discussed to show perspectives for applications of tunable semiconductor lasers in these networks.