PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 5

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  warstwy rezystywne
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Influence of kinetics parameter of electroless nickel plating in order to optimalisation electrical parameters of Ni-P resistive layers
Pruszowski Z., Kowalik P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
77-79
EN
In this paper the results of experimental studies of the influence of kinetics parameters of electroless Ni plating on the basic electrical parameters of Ni-P resistive layers like sheet resistance and temperature coefficient of resistivity (TCR) are presented. Our experiments showed, among others, that the required minimal value of TCR parameter can be obtained for the following parameters of technological solution: temperature in the range of 368...373K, acidity (pH) in the range of 2.00...2.05, and concentration of basic substrates (Ni salts and reducing hypophosphite salts) in the range of 50...60 g/dm³. For these conditions the atomic concentration of P in the obtained Ni-P resistive layers was at the level of 19.2%, a typical value for the euthectic form. Moreover, the activation energy of metallization process was equal to about 70 kJ/mol.
PL
W niniejszym artykule przedstawiono wyniki badań doświadczalnych nad wpływem parametrów bezprądowego niklowania na podstawowe parametry elektryczne rezystancyjnych warstw Ni-P, takie jak rezystancja powierzchniowa i temperaturowy współczynnik rezystancji (TWR). Nasze doświadczenia wykazały, między innymi, że wymaganą, minimalną wartość parametru TWR można uzyskać dla następujących parametrów technologicznych roztworu: temperatura w zakresie od 368÷373 K, kwasowość (pH) w zakresie 2,00÷2,05 oraz stężenie podstawowych substratów (sól niklu i redukująca sól podfosforynu) w zakresie od 50÷60 g/dm³. Przy spełnieniu takich warunków technologicznych stężenie atomowe P w uzyskanych warstwach rezystywnych Ni-P kształtuje się na poziomie 19,2%, co jest typową wartością eutektyka. Energia aktywacji procesu metalizacji wynosiła około 70 kJ/mol.
2
Content available remote Wytwarzanie stabilnych warstw rezystywnych metodą bezprądowej metalizacji
Pruszkowski Z., Kowalik P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 6
276-278
PL
W niniejszym artykule opisano zmodyfikowany sposób wytwarzania warstw rezystywnych Ni-P metodą chemicznej redukcji zachodzący w kąpieli wodnej prowadzący do otrzymania warstw rezystywnych o rezystancji powierzchniowej 0,5-1 charakteryzujących się minimalnym temperaturowym współczynnikiem rezystancji oraz minimalnymi zmianami rezystancji w próbie na stabilność. W artykule opisano szczegółowo zmiany rezystancji w funkcji temperatury oraz zmiany rezystancji w funkcji czasu dla prób określających stabilność długoczasową warstw rezystywnych.
EN
In this paper is presented modified technology of preparation of Ni-P resistive layers. These layers are characterised by square resistance 0,5 - 1, minimised TCR and best stability. In this paper are described change of resistance with changes of temperature.
3
Wpływ intensyfikacji procesu metalizacji bezprądowej na podstawowe parametry elektryczne rezystywnego stopu Ni-P
Kowalik P., Pruszowski Z.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 9
96-97
PL
W niniejszej pracy zbadano wpływ zwiększania stężenia substratów w procesie metalizacji bezprądowej na szybkość reakcji chemicznej redukcji prowadzącej do otrzymania warstw rezystywnych typu Ni-P. W pracy zbadano również wpływ tak pojętej intensyfikacji procesu metalizacji na rezystancję końcową oraz temperaturowy współczynnik rezystancji rezystorów otrzymanych na bazie tych warstw.
EN
In the present study investigated the effect of increasing concerrations of substrates in the chemical metallization on the speed of chemical reaction leading to the reduction in receipt of a resistive layer of Ni-P. The study also examined the impact of such a metallization process intensification understood the final resistance and temperature coefficient of resistance of resistors from such layers.
4
One-stage substrate activation using in resistive layer formation
Kowalik P., Pruszowski Z., Rymaszewska D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 9
98-99
EN
The paper presents a comparison of electrical parameters of a resistive layer formed on a ceramic substrate by way of chemical reduction, the subject of comparison being the process of metal plating carried out through two-stage and one-stage activation of the metallized substrate.
PL
Praca prezentuje porównanie parametrów elektrycznych warstw rezystywnych Ni-P osadzonych na podłożu ceramicznym w procesie jedno- i dwuetapowej aktywacji.
5
Siła termoelektryczna cienkich warstw rezystywnych Ni-P
Pruszowski Z., Kowalik P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 1
70-71
EN
The paper presents the results of preliminary study concerning the thermo-electric force coefficients in thin amorphous precise Ni-P resistive layers. The experiment represents the situation where the temperature gradient occurs on the opposite ends of the resistor.
PL
W pracy przedstawiono wyniki wstępnych badań dotyczących określenia współczynników termoelektrycznych cienkich, amorficznych warstw rezystywnych Ni-P. W pracy skoncentrowano się na sytuacji w której gradient temperatury zostaje przyłożony do końcówek rezystora.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.