Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Archives of Metallurgy and Materials

1 2015

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: warstwy kompozytowe Al2O3-C

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model Research On Synthesis Of Al2O3-C Layers By MOCVD

Sawka A., Kwatera A.

Archives of Metallurgy and Materials

2015

Vol. 60, iss. 2A

1125--1128

These are model studies whose aim is to obtain information that would allow development of new technology for synthesizing monolayers of Al2O3-C with adjusted microstructure on cemented carbides. The Al2O3-C layer will constitute an intermediate layer on which the outer layer of Al2O3 without carbon is synthesized. The purpose of the intermediate layer is to block the cobalt diffusion to the synthesized outer layer of Al2O3 and to stop the diffusion of air oxygen to the substrate during the synthesis of the outer layer. This layer should be thin, continuous, dense and uniform in thickness. Al2O3-C layers were synthesized from aluminum acetylacetonate by the CVD method on quartz glass heated in an induction furnace in the temperature range 800-1000°C using argon as a carrier for the reactants. The layers were prepared also at low temperatures and were then subjected to crystallization at higher temperatures. The resulting layers prepared at temperatures above 900°C were nanocrystalline (including the α- Al2O3 phase). Due to the fact that crystallization can be controlled, we may have a greater influence on the structure and thus the properties of the layer compared to direct synthesis at high temperature.

Celem prowadzonych modelowych badań nad syntezą warstw Al2O3 metodą MOCVD jest uzyskanie informacji przydatnych do opracowania nowej technologii nanoszenia tych warstw na podłoża z węglików spiekanych. Warstwa Al2O3-C będzie stanowić pośrednią warstwę, na której będzie syntezowana zewnętrzna warstwa Al2O3 nie zawierająca węgla. Zadaniem warstwy pośredniej jest blokowanie dyfuzji kobaltu do syntezowanej zewnętrznej warstwy Al2O3 oraz ochrona podłoża przed utlenianiem podczas syntezy zewnętrznej warstwy. Warstwa ta powinna być cienka, ciągła, gęsta i mało zróżnicowana w grubości. Warstwy Al2O3-C syntezowano z acetyloacetonianu glinu metodą CVD na szkle kwarcowym. Podłoże ogrzewano indukcyjnie w zakresie temperatur 800-1000°C. Gazem nośnym był argon. Warstwy syntezowane w niższych temperaturach były poddawane krystalizacji w wyższych temperaturach. Otrzymane warstwy w temperaturach powyżej 900°C były nanokrystaliczne (zawierały fazę α- Al2O3). Z uwagi na to, że proces krystalizacji warstw może być kontrolowany, można wpływać na strukturę oraz właściwości warstw.