Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: warstwy kompozytowe Al2O3-C/Al2O3

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model Research On Deposition Of Pure Aluminium Oxide Layers By MOCVD Method

Sawka A., Kwatera A.

Archives of Metallurgy and Materials

2015

Vol. 60, iss. 2A

1121--1124

The purpose of this research is to develop an optimal method for synthesizing of nanocrystalline Al2O3 monolayers at high growth rates on cemented carbides coated with an intermediate layer of pre- Al2O3-C (composite layers Al2O3-C/ Al2O3). The use of quartz glass substrate allows for obtaining information about the quality of the layers such the thickness and density, because of its high transparency. The Al2O3 layers that do not containing carbon were synthesized on quartz glass by MOCVD using aluminum acetylacetonate and air as the reactants at temperatures of 700-1000°C. Argon was also a carrier gas. The resulting layers were transparent, as homogeneous nucleation did not occur during the synthesis process. The layers synthesized at lower temperatures were subjected to a crystallization process at temperatures above 900°C. The crystallization process was studied as a function of time and temperature. The obtained layers were characterized by their nanocrystalline microstructure.

Celem badań jest opracowanie metody otrzymywania nanokrystalicznych monowarstw Al2O3 z dużą szybkością wzrostu na węglikach spiekanych pokrywanych warstwą pośrednią Al2O3-C (warstwy kompozytowe Al2O3-C/ Al2O3). Użycie podłoży ze szkła kwarcowego z uwagi na jego przezroczystość pozwoli uzyskać informacje dotyczące jakości otrzymanych warstw, np.: ich grubości, gęstości. Warstwy Al2O3 nie zawierające węgla syntezowano na szkle kwarcowym metodą MOCVD z użyciem acetyloacetonianu glinu oraz powietrza jako reagentów w temperaturach 700-1000°C. Gazem nośnym był argon, a także powietrze. Otrzymane warstwy były przezroczyste, co świadczyło o tym, że w trakcie wzrostu warstw nie występował proces nukleacji homogenicznej. Warstwy syntezowane w niższych temperaturach były poddawane krystalizacji w temperaturach powyżej 900°C. Badano przebieg procesu krystalizacji w funkcji czasu i temperatury. Otrzymane warstwy charakteryzowały się nanokrystaliczną budową.

Otrzymywanie warstw tlenku glinu z acetyloacetonianu glinu metodą CVD w powietrzu

Sawka A., Kwatera A.

Inżynieria Materiałowa

2013

Vol. 34, nr 6

841--844

Przeprowadzone w pracy badania są modelowe. Ich celem było opracowanie najlepszych warunków syntezy monowarstw Al2O3 o nanokrystalicznej budowie, przydatnych do nanoszenia ich z dużą szybkością wzrostu na węglikach spiekanych pokrywanych wstępnie pośrednią warstwą Al2O3-C. Zastosowanie podłoży ze szkła kwarcowego, ze względu na jego dużą przeświecalność, ułatwia uzyskanie informacji o jakości warstw, tj. grubości i jej zmienności, gęstości, z której wynikają inne cechy warstw, takie jak wytrzymałość mechaniczna, adhezja do podłoża. Istotny wpływ na gęstość może mieć proces nukleacji homogenicznej, w wyniku którego powstają porowate proszki o składzie zbliżonym lub takim samym jak syntezowane warstwy. Proszki te, osiadając na syntezowanej warstwie, powodują łatwe do zaobserwowania ich zmętnienie. Należy nadmienić, że stosowanie w badaniach rozwiniętego wyrażenia Grx/Rex 2 dodatkowo umożliwia szybkie ustalenie odpowiednich parametrów procesu. Warstwy tlenku glinu na szkle kwarcowym grzanym w piecu indukcyjnym syntezowano metodą CVD z acetyloacetonianu glinu w powietrzu w temperaturze 700÷1000°C. Otrzymano warstwy o dużej przeświecalności, gdy nie występował podczas ich syntezy proces nukleacji homogenicznej. Warstwy syntezowane w niższej temperaturze poddawano procesowi krystalizacji powyżej 900°C. Badano przebieg procesu krystalizacji w zależności od czasu i temperatury. Otrzymano warstwy o budowie nanokrystalicznej.

Presented research is model. Its aim was to obtain the information helpful for elaboration of new technology of synthesis of Al2O3 monolayers on cemented carbides. Elaborated technology should make possible influence on microstructure of deposited layers. Al2O3-C layers obtained at this research will constitute an intermediate layer. An external layer will be Al2O3 layer without carbon. This layer should by thin, continuous, dense, uniform in thickness and well adherent to the substrate. Quartz glass is transparent and therefore we can easy visually estimate thickness of obtained layers, its changes and if the homogeneous nucleation process was present during the layer deposition. In this process porous powders are formed in gaseous phase (they composition is similar or the same as deposited layer) and they sink on the synthesized layer. Homogeneous nucleation process conduces synthesis of layers of low density. High density of synthesized layers is important because its results from it other properties, e.g. mechanical strength, adhesion to the substrate. Using of extended criterion of Grx/Rex 2 lets conduct the process of the layer synthesis in a such way in order to avoid appearance of this unfavourable process. Aluminium oxide layers were synthesised using aluminium acetyloacetonate at temperature of 700÷1000°C. Air was use as well as reactive and carrier gas. Obtained layers were transparent when during their synthesis process of homogeneous nucleation wasn’t present. Layers synthesized at lower temperature were treated controlled crystallization at temperature above 900°C. Dependence of crystallization process on time and temperature was investigated. Obtained layers were nanocrystalline. Their object is elaboration of optimum conditions for synthesis of Al2O3 layers on cemented carbides.