Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Covering glass microspheres with Al2O3 or Aln by low-temperature atomic layer deposition

Stankiewicz R., Piątkowska A.

Materiały Elektroniczne

|

2018

|

T.46, nr 1-4

8--15

EN

Thin layers of Al2O3 and AlN were deposited on the surface of borosilicate glass microspheres in an ALD reactor at 50 and 150°C, respectively. They were imaged by SEM microscopy. X-ray EDS spectroscopy was used to assess chemical composition but it was also the basis for a thickness determination method. Al2O3 layers between 20 and 100 nm were obtained, with a constant growth rate of 1.2 Å per deposition cycle. AlN formed continuous but always very thin films on the spheres, generally 5 to 10 nm, even if it was growing much thicker on control glass slides, at 0.8 Å per cycle.

PL

W reaktorze ALD osadzano cienkie warstwy Al2O3 i AlN na mikrosferach ze szkła borokrzemowego w temperaturach odpowiednio 50 i 150°c. obrazowano je przy pomocy skaningowego mikroskopu elektronowego. spektroskopia rentgenowska EDs była wykorzystywana do badania składu chemicznego, ale stanowiła także podstawę dla metody wyznaczania grubości warstw. otrzymano warstwy Al2O3 o grubościach od 20 do 100 nm przy stałej szybkości wzrostu 1,2 Å/cykl. AlN tworzył natomiast ciągłe, lecz zawsze bardzo cienkie warstwy (zwykle 5 do 10 nm), mimo że na kontrolnych płytkach szklanych uzyskiwano znacznie większe grubości, a szybkość wzrostu wynosiła 0,8 Å/cykl.

2

Wpływ warunków nanoszenia szkliw krzemowych na jakość uzyskanej powierzchni

Wróbel E., Waczyński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 10

21-23

PL

Głównym celem przedstawionych w artykule badań była analiza warunków nanoszenia i formowania warstw dielektrycznych na jakość tych warstw. Warstwy obserwowano za pomocą mikroskopu Axio Imager MAT firmy Carl Zeiss. Analizowano powierzchnię pod kątem powstałych defektów i istniejących zanieczyszczeń.

EN

The main objective of the research in the article was an analysis of the conditions applied and the formation of dielectric layers on the quality of these layers. Layers were observed with microscope mikroskopu Axio Imager MAT Carl Zeiss firm. Analyzed in terms of surface defects created and the existing pollution.

3

Badanie wpływu technologii na parametry wybranych elementów optoelektronicznych

Zborowska-Lindert I., Boratyński B., Paszkiewicz B., Ohly T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 10

41-43

PL

Przedstawiono wyniki badań związanych z konstrukcją i wytwarzaniem fotodetektorów MSM oraz mikrobaterii fotowoltaicznych ze związków Ga(Al,In)As. W prawidłowej konstrukcji obydwu grup przyrządów, niezwykle istotna jest minimalizacja prądu ciemnego i upływności elementów. Opisano efekty pasywacji powierzchni fotodetektorów poprzez zastosowanie warstw dielektrycznych Si3NOx i AIN. Badano także wpływ konpozycji materiału warstwy aktywnej mikrobaterii fotowoltaicznej na jej prąd zwarciowy i napięcie rozwarcia.

EN

Influence of process technology on electrical parameters of Ga(Al,In)As MSM photodetectors and photovoltaic micro-arrays was envestigated. The effects of the dark current suppression due to surface passivation in MSM photodetectors with AIN and Si3NOx layers are presented. The photovoltaic arrays were fabricated as a series connection of seven Ga((Al,In)As PIN diodes. The influence of device active layer composition on the open circuit voltage and the short circuit current values was investigated.

4

Warstwy dielektryczne do przyrządów wytwarzanych z węglika krzemu

Szmidt J., Bąkowski M., Sokołowska A., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2001

|

Vol. 42, nr 2

30-33

PL

W pracy scharakteryzowano właściwości różnych odmian węglika krzemu na tle innych materiałów półprzewodnikowych. Przedstawiono wymaganiadla warstw dielektrycznych stosowanych w przyrządach półprzewodnikowych - w szczególności struktur MIS. Dokonano krytycznej analizy warstw termicznego SiO2 oraz przedstawiono pierwsze wyniki badań innych dielektryków wytwarzanych metodami plazmowymi na podłożach z węglika krzemu.

EN

The paper presents characterisation of different forms of silicon carbide in comparison with other semiconductors. Requirements for dielectric layers for applications in silicon carbide devices, especially in MIS structures, are also presented. A critical analysis of thermal SiO2 layers is effected and first results of investigations of other dielectric layers (AlN, Al2O3) produced by plasma method on silicon carbide substrates are presented.