Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Warstwy diamentowe otrzymywane metodą HF CVD o zróżnicowanej morfologii, metody weryfikacji otrzymanych warstw oraz ich zastosowanie

Szulc A., Mosińska L.

Ochrona przed Korozją

|

2011

|

nr 10

597-601

PL

W artykule omówiono technikę syntezy warstw diamentowych metodą HF CVD (Hot Filament Chemical Vapour Deposition - Chemiczne Osadzanie z Fazy Gazowej przy użyciu Gorącego Włókna). W celu zwiększenia gęstości nukleacji zarodzi diamentowych wykorzystano tzw. biasing. Przedstawiono zależność jakości warstw od parametrów procesu ich wzrostu. Dokonano oceny wpływu zmiany zawartości metanu w gazie roboczym na jakość osadzanych warstw diamentowych. Badanie jakości warstw oparto o trzy nieinwazyjne metody: elektronową mikroskopię skaningową, dyfrakcję rentgenowską oraz spektroskopię Ramana. Metody te wzajemnie się uzupełniają, dając informacje o wielkości krystalitów, morfologii, naprężeniach i zawartości fazy niediamentowej w otrzymanych warstwach. Właściwości fizyczne syntetycznych diamentów determinują ich możliwe zastosowania, takie jak: pokrycia ochronne, podzespoły i układy elektroniczne, elektrody w elektrochemii, optyka, narzędzia tnące i ścierne itp.

EN

Diamond layer synthesis by means of the HF CVD method (Hot Filament Chemical Vapour Deposition) has been discussed. Biasing was used as a means to enhance diamond nucleation. The relation between the quality of the layers and their growth process parameters has been presented. The impact of changes in the content of methane present in the operating gas on the quality of the deposited diamond layers has been evaluated. Three non-invasive methods i.e. scanning electron microscopy, X-ray diffraction and Raman spectroscopy have been used to evaluate the quality of the layers. These methods are complementary and provideinformation about crystallite sizes, morphology, stresses and non-diamond phase contentin the diamond layers. The physical properties of synthetic diamonds determine their possible applications. They can be used as protective coatings, in electronic components and circuitry, electrodes in electrochemistry, optics, cutting and abrasive tools, etc.

2

Możliwości zastosowania warstw diamentowych jako powłok ochronnych

Szulc A., Mosińska L.

Ochrona przed Korozją

|

2011

|

nr 4-5

165-167

PL

Pokrycia diamentowe otrzymywane metodami CVD, w związku z ich unikatowymi właściwościami, stały się poszukiwanym materiałem do wytwarzania odpornych na zużycie powłok ochronnych, warstw antykorozyjnych oraz zastosowań trybologicznych. W niniejszej pracy wskazano obszary zastosowania cienkich warstw diamentowych W artykule przedyskutowano problem zależności odporności antykorozyjnej i mechanicznej pokryć diamentowych, która zdeterminowana jest adhezją między warstwą a podłożem. Dobra adhezja zależy od rodzaju materiału podłoża, sposobu jego przygotowania jak również parametrów procesu CVD.

EN

Diamond coatings obtained by CVD methods, due to their unique combination of properties, become very important for wear, corrosion protection and tribological applications. In this work we indicated the areas of thin diamond layers applications and have discussed the problem of their anticorrosion and mechanical resistance properties. The protective properties of the diamond coatings are determined mainly by adhesion between diamond layer and the substrate. Good adhesion is depended on substrate type, pretreatment of the substrate surface, CVD parameters process of diamond growth.

3

Synteza warstw diamentowych do zastosowań optoelektronicznych

Wroczyński P., Gnyba M., Herman A., Bogdanowicz R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2007

|

Vol. 48, nr 9

42-45

PL

Diamenty stosowane w optoelektronice i sensoryce syntetyzowane są w próżni przy użyciu plazmy niskotemperaturowej. Nanostruktury powstają przez wzrost struktur z molekuł, a nawet atomów. Wytwarzanie nanostruktur wymaga precyzyjnego monitoringu procesu syntezy. Optoelektroniczne metody pomiarowe zapewniają kontrolę wzrostu warstw oraz ocenę in-situ parametrów materiałowych. Przedstawiono optoelektroniczne metody badania przebiegu procesu syntezy warstw diamentowych i DLC: spektroskopię ramanowską oraz optyczną spektroskopię emisyjną.

EN

Diamonds for optoelectronics and sensor applications are synthesised in vacuum process using low-temperature plasma. Nanostructures grow from molecules or even from atoms. Manufacturing of nanostructures requires precise monitoring of the synthesis process. Optoelectronic measurement methods enable control of the films growth as well as in-situ investigation of the material parameters. In this paper, we presented optoelectronic methods which can be used in investigation of synthesis process of diamond and DLC films: Raman spectroscopy and optical emission spectroscopy.

4

Diamond-like carbon and diamond films as source of electron emission

Staryga E., Znamirowski Z., Jarzyńska D., Fabisiak K., Banaszak A., Cłapa M.

Karbo

|

2005

|

Nr 4

244-251

EN

We investigated electron field emission from diamond-like carbon and diamond thin layers. DLC and diamond films were deposited onto Si substrate using Radio Frequency Chemical Vapour Deposition process and Hot Filament Chemical Vapour Deposition technique, respectively. The field emission characteristics were described using the Fowler-Nordheim model. To analyze the surface morphology Raman spectroscopy, Electron Spin Resonance (ESR) and Scanning Electron Microscopy (SEM) was used. We obtained well-defined Raman spectrum peak for diamond films at 1332 cm-1.The Raman spectrum, for DLC layers, showed asymmetric peak consist of D and G-band around 1550 cm-1. It indicate for existence of sp3 (diamond) and s2 (graphite) phase in these films. The field emission for DLC films was obtained at turn-on electric field between 70-90 V/μ while for diamond films in a range between 60-140 V/μ. It seems that changes of turn-on field values and emissive properties of thin carbon layers may be cause by different content graphite phase in carbon films.

PL

Przebadano elektronową emisje polową węgla diamentopodobnego(DLC) i cienkich warstw diamentowych. Charakterystyki emisji polowej zostały opisane w oparciu o model Fowlera-Nordheima. Do analizy morfologii powierzchni zastosowano spektroskopię Ramana, elektronowy rezonans spinowy (ESR) oraz skaningowa mikroskopie elektronowa (SEM). Otrzymano wyraźne widma Ramana dla cienkich warstw diamentowych z maksimum przy 1332 cm-1. Widmo Ramana dla warstw DLC przedstawia asymetryczne składoweDorazG(1550 cm-1). Ta ostatnia świadczy o istnieniu faz sp3 (diament) oraz sp2 (grafit) w tych warstwach. Emisja polowa dla warstw DLC uzyskana była przy ustalonym na 70-90 V/μ.m natężeniu pola elektrycznego, zaś dla warstw diamentowych w przedziale 60-140 V/μm. Pomiary wskazują, że zmiany wartości przyłożonego pola i właściwości emisyjnych cienkich warstw węgla mogą być wywołane różną zawartością fazy grafitowej w warstwach węglowych.