Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: warstwy a-SiNx:H

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Synergiczne układy warstwowe: azotek krzemu - warstwa przejściowa na multikrystalicznym krzemie

Bąk W., Jurzecka-Szymacha M., Jonas S., Tkacz-Śmiech K.

Inżynieria Materiałowa

2010

Vol. 31, nr 4

864-868

Sprawność ogniw fotowoltaicznych opartych o multikrystaliczny krzem może być skutecznie poprawiona przez stosowanie warstw a-SiNx:H. War- stwy takie mają dobre właściwości antyrefleksyjne, a zawarty w nich wodór bierze udział w pasywacji defektów podłoża. W pracy zaprezentowano wyniki badań warstwowych układów kompozytowych, w których pomiędzy podłożem i właściwą warstwą azotku krzemu zastosowano warstwę przejściową, wytworzoną w plazmie NH3 lub warstwę a-Si:H. Warstwy osadzono na multikrystalicznych podłożach krzemowych (mc- Si, BAYSIX) z zastosowaniem metody RFCVD. Część próbek (z warstwą) dodatkowo wygrzano w temperaturze 800°C. Takie postępowanie zapewnia warunki odpowiednie dla dyfuzji wodoru z warstwy do podłoża, poprawiając tym samym efekty pasywacji. W ocenie pasywacji defektów podłoża wykorzystano wyniki z pomiarów temperaturowej zależności przewodnictwa elektrycznego próbek z warstwami, przed i po wygrzewaniu.

An efficiency of solar cells based on multicrystalline silicon may be effectively improved with application of a-SiNx:H layers. They have good antireflective properties and take part in defect passivation of the substrate. It is shown, in this work, that good results may be expected when composed layer systems are used. We propose application of a transition layer between the substrate and the antireflective a-SiNx:H. This can be either an a-Si:H layer or a layer formed in NH3 plasma. The layers studied in this work were deposited on multicrystalline silicon (mc-Si, BAYSIX) with application of RFCVD. Some of the samples were additionally heated at 800°C to enhance the hydrogen diffusion from the layer to the substrate. Such treatment improves defect passivation. An evaluation of defect passivation was based on the results of measurements of temperature dependence of electrical conductivity performed for the samples with various layers, both before and after heating.

Reakcje prowadzące do wzrostu warstw a-SiNx:H w układzie PE CVD

Boszkowicz P., Jonas S., Jurzecka-Szymacha M., Tkacz-Śmiech K.

Inżynieria Materiałowa

2008

Vol. 29, nr 6

776-779

Przedstawiono model wzrostu warstw azotku krzemu a-SiNx:H na drodze chemicznego osadzania z fazy gazowej. Model uwzględnia przebieg reakcji chemicznych w fazie gazowej i reakcji heterogenicznych na powierzchni w roli katalizatora. W warunkach plazmy (układ PE CVD), reakcje heterogeniczne przebiegają głównie z udziałem aktywnych rodników, a zasadniczy wpływ na ich przebieg ma wodór. Uzasadniono, że bierze on udział w tworzeniu wiązań wiszących, których gęstość decyduje o szybkości wzrostu warstwy i o jej strukturze. Proponowany model pozwala wyjaśnić mechanizmy odpowiedzialne za tworzenie struktury amorficznej, jaka wynika z analizy widma FT IR. Jego założenia są zgodne z przebiegiem polimeryzacji i teorią kompleksu aktywnego.

A model of a growth of amorphous silicon nitride layers (a-SiNx:H) via chemical vapour deposition is presented. The model considers a run of chemical reactions in gas phase and heterogeneous reactions on the surface. In plasma conditions, the chemical reactions take place with a contribution of active radicals. The process is limited by hydrogen that takes part in the formation of dangling bonds. The density of dangling bonds determines a rate of the growth and the structure of the layer. The present model explains mechanisms responsible for the formation of amorphous structure (as it results from FT IR spectrum). It is in agreement with polymerisation and active complex approach.