Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The measurement of the diffusion coefficient of oxygen ions in the YBa2Cu3O7-x layer of the electro-resistance memory

Waśkiewicz Jan

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 7

80--84

EN

The paper attempts to determine the chemical diffusion coefficient of oxygen ions in the thin YBa2Cu3O7-x layer of the electro-resistance memory at room temperature. The measurement method was based on the assumption that in the process of switching the sample resistance by means of current pulses there is a stage of diffusion of oxygen ions in the layer of finite thickness from the source located at its surface. This layer is the oxygen depleted layer at the electrode. Its thickness was determined empirically from the amplitude characteristics of the resistive states, while the diffusion time constant was obtained from measurements of the resistance relaxation curves. The value of 5.5 • 10-18m2/s of the oxygen diffusion coefficient in YBa2Cu3O7-x obtained in this paper is in the order of magnitude consistent with the literature data obtained under similar conditions.

PL

W pracy podjęto próbę wyznaczenia współczynnika dyfuzji chemicznej jonów tlenu w cienkiej warstwie YBa2Cu3O7-x pamięci elektrorezystancyjnej w temperaturze pokojowej. Metodę pomiaru oparto na założeniu, że w procesie przełączania rezystancji próbki za pomocą impulsów prądowych występuje etap dyfuzji jonów tlenu w warstwie o skończonej grubości ze źródła zlokalizowanego przy jej powierzchni. Warstwą tą jest przyelektrodowa warstwa zubożona w tlen. Jej grubość wyznaczono doświadczalnie z charakterystyk amplitudowych stanów rezystancyjnych, natomiast stałą czasową dyfuzji otrzymano z pomiarów przebiegów relaksacji rezystancji. Otrzymana w pracy wartość 5,5•10-18 m2/s współczynnika dyfuzji jonów tlenu w YBa2Cu3O7-x jest co do rzędu wielkości zgodna z danymi literaturowymi uzyskanymi w podobnych warunkach.

2

Measurement of the thickness of the oxygen-depleted layer in the Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag structures of the electro-resistance memory

Waśkiewicz J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 9

99--103

EN

The paper presents the results of experimental investigations of the phenomenon of electro-resistance memory in the Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag thin-film structure at room and liquid nitrogen temperature. On the basis of the obtained voltage-current and amplitude characteristics, the threshold values of the resistive switching voltage were determined. Differences in the levels of these voltages at different switching directions and temperatures are explained using a mechanism based on oxygen ion electro-diffusion via oxygen vacancies. Using the mathematical model of this mechanism on the basis of the switching voltage values obtained, the thickness of layers depleted in oxygen ions were determined, which play a fundamental role in the switching process. The obtained thicknesses from 1.2 to 10.6 nm are consistent with the literature data for similar structures.

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych zjawiska pamięci elektrorezystancyjnej w strukturze cienkowarstwowej Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag w temperaturze pokojowej i ciekłego azotu. Na podstawie uzyskanych charakterystyk napięciowo-prądowych i amplitudowych wyznaczono wartości progowe napięcia przełączania rezystancji. Różnice poziomów tych napięć przy różnych kierunkach przełączania oraz temperaturach wyjaśniono za pomocą mechanizmu opartego na elektrodyfuzji jonów tlenu poprzez wakansy tlenowe. Wykorzystując model matematyczny tego mechanizmu na podstawie otrzymanych wartości napięcia przełączania wyznaczono grubości warstw zubożonych w jony tlenu, które odgrywają zasadniczą rolę w procesie przełączania. Otrzymane grubości od 1,2 do 10,6 nm są zgodne z danymi literaturowymi dla podobnych struktur.

3

Teoretyczna analiza adsorpcji tlenu na powierzchni ziaren SnO₂ o powierzchni płaskiej

Izydorczyk W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 10

45-48

PL

W pracy przedstawiono wyniki teoretycznej analizy wpływu adsorpcji tlenu na przewodnictwo nanowarstw SnO₂. W wyniku analitycznego rozwiązania jednowymiarowego równania Poissona-Boltzmanna dla próbki o skończonych wymiarach i płaskiej geometrii ziarna, otrzymano potencjał powierzchniowy dla całkowicie zubożonych warstw o grubości w zakresie 30..,500 nm. Na tej podstawie obliczono zależność energetycznej bariery potencjału od grubości warstwy. Zbadano wpływ ruchliwości oraz stopnia jonizacji donorów na stopień pokrycia powierzchni różnymi jonami tlenu. Obliczono profile głębokościowe koncentracji nośników, rozkład ruchliwych donorów oraz zbadano wpływ temperatury oraz ciśnienia cząstkowego tlenu na konduktancję nanowarstw SnO₂.

EN

In this work, the results of theoretical analysis of the influence of surface oxidation on the conductance of SnO₂ nanofilms were presented. From the one-dimensional analytical solution of the Poisson-Boltzmann equation in the case of finite grains with slab geometry, the in-depth profiles of the potential V(r) were obtained for full depleted layers. On this basis, the surface energy barrier dependence on grain size (30...500 nm) was obtained. The effect of the donor mobility (oxygen vacancies in the bulk) and degree of donor ionization on coverages by oxygen ions was discussed. The in-depth profiles of carrier concentrations and distribution of donors were obtained. Furthermore, the influence of temperature and partial oxygen pressure on the SnO₂ nano-film per-square conductance was studied.

4

Bulk silicon detectors of ionizing radiation : the role of the depletion layer

Marczewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 3

115-123

EN

The paper concerns fully depleted silicon detectors of ionizing radiation. Such detectors play an important role in high-energy physics and recently in medical or even space applications. They are very sensitive to low energy photons and charged particles. The detectors are fast and offer good energy resolution and, if designed as positive-sensitive devices, they may reach space resolution of a few micrometers. Moreover, silicon is a suitable material to integrate detectors with silicon read-out circuitry. The detectors profit from the fact that the reverse current of a silicon p-n junction is proportional to incident radiation. The paper deals mostly with modern detectors like active pixel sensors with interleaved pixels, monolithic SOI pixel detectors and untypical strip sensors. Some information concerning other designs are provided as well as remarks on electrical characterization techniques and the destructive role of radiation on sensors.

PL

Praca dotyczy całkowicie zubożonych krzemowych detektorów promieniowania jonizującego. Detektory takie odgrywają istotną rolę w fizyce wysokich energii oraz ostatnio w wielu zastosowaniach medycznych a nawet kosmicznych. Są one bardzo czułe na oddziaływanie z niskoenergetycznymi fotonami oraz cząstkami jonizującymi. Charakteryzują się wysoką rozdzielczością energetyczną i dużą szybkością. Jako detektory pozycyjne krzemowe detektory w pełni zubożone osiągają dokładność sięgającą kilku mikrometrów zaś użycie jako materiału krzemu ułatwia ich integrację z zazwyczaj krzemową elektroniką odczytową. W pracy bardziej obszernie potraktowano nowe konstrukcje detektorów pozycyjnych a zwłaszcza detektory pikselowe o pikselach pomijanych przy odczycie, monolityczne detektory realizowane w technologii SOI oraz nietypowe detektory paskowe. Artykuł zawiera krótką analizę zjawisk zachodzących w warstwie zubożonej a także kompendium wiedzy o różnorodnych konstrukcjach detektorów.