Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: warstwa transportowa

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Simulation model of IMS/NGN with transport stratum based on MPLS technology

Kaczmarek S., Łuczaj Ł., Sac M.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

2016

nr 8-9

777--784, CD

In the paper we continue our research on traffic modelling in the Next Generation Network (NGN) architecture, which includes the IP Multimedia Subsystem (IMS) elements. A simulation model of a single NGN domain with transport stratum based on the Multiprotocol Label Switching (MPLS) technology is proposed, which allows evaluation of mean response time of this stratum. The simulation model is applied to verify the results obtained using the previously proposed analytical model.

W artykule przedstawiono kontynuację badań dotyczących modelowania ruchu w architekturze Sieci Następnej Generacji (Next Generation Network, NGN) zawierającej elementy koncepcji IP Multimedia Subsystem (IMS). Zaproponowano model symulacyjny dla pojedynczej domeny sieci NGN z warstwą transportową bazującą na technologii Multiprotocol Label Switching (MPLS), który umożliwia wyznaczenie średniego czasu odpowiedzi tej warstwy. Model ten wykorzystano do weryfikacji wcześniej opracowanego modelu analitycznego.

Iprovements OLED operation due to using additional layers

Hotra Z., Volynyuk D., Voznyak L., Kostiv N.

Prace Instytutu Elektrotechniki

2010

Z. 247

19-24

In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.

W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.