Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  warstwa przeciwzużyciowa
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Amorficzne uwodornione warstwy na bazie krzemu i węgla a-Si:C:H pełnią rolę warstw antyrefleksyjnych w ogniwach fotowoltaicznych. Warstwy o grubości rzędu 100 nm zostały osadzone niskotemperaturową techniką PECVD na podłożach z krzemu monokrystalicznego i multikrystalicznego. Analiza składu chemicznego metodą spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni FTIR potwierdza obecność dużej ilości wiązań wodorowych w strukturze warstw. Przyczepność warstw do obydwu typów podłoży określono na podstawie testów zarysowania. Odporność na zużycie wyznaczono w teście tribologicznym w styku kula Al2O3–tarcza. Nałożenie warstwy a-Si:C:H obniża współczynnik tarcia do ok. 0,1 i zwiększa odporność na zużycie ok. 4 razy w stosunku do krzemu monokrystalicznego bez powłoki i w mniejszym stopniu w stosunku do krzemu multikrystalicznego.
EN
The amorphous hydrogenated silicon–carbon (a-Si:C:H) layers have been applied as the antireflective coating (ARC) in solar cells. The layers of 100 nm thickness were obtained on multi-crystalline (multi Si) and mono-crystalline (mono-Si) silicon substrates by the PECVD method. Microscopic analyses (SEM) of a-Si:C:H on mono-Si confirm the homogeneity of the layer and the uniformity and flatness of their surfaces. The FTIR data indicate that the a-Si:C:H layers are hydrogen rich. Hydrogen present in the layers may have passive defects in multi-Si. The adherence of the layers to the both substrates was examined by a scratch test. The resistance to abrasion was determined in ball-on-disc tests. The wear resistance and friction coefficient of these layers are dependent on the geometrical structure of the silicon wafers surface. The a-Si:C:H layers considerably increase (4 times) the wear resistance of the mono-crystalline silicon substrates and slightly the multi-crystalline silicon one. As they exhibit antiwear properties, they may also be applied as a protective layer for silicon solar cells.
3
Content available remote Badania tribologiczne powłoki Al2O3/TiO2 uzyskanej metodą detonacyjną
PL
W pracy zaprezentowano technologię uzyskiwania powłok wykorzystującą spalanie gazów technicznych z maksymalną możliwą prędkością - detonacją. Otrzymano powłoki Al2O3/TiO2 konstytuowane metodą detonacyjną dla różnych energii strumienia metalizującego. Badania tribologiczne powłok przeprowadzono na stanowisku kula-tarcza. Powierzchnie powłoki (bez i po szlifowaniu) oraz śladów zużycia poddano obserwacjom mikroskopowym (SEM) i analizie rentgenowskiej (EDS). Stwierdzono wpływ energii strumienia metalizującego na właściwości przeciwzużyciowe uzyskanej powłoki.
EN
In this paper the authors present the detonation-gun-sprayed (D-gun) Al2O3/TiO2 coatings obtained under various spray conditions. The friction and wear tests were conducted under dry friction conditions with a ballon-disk testing machine. Scanning electron microscopy (SEM) was used to observe the coating surfaces before and after grinding. The X-ray analysis (EDS) was carried out to study the wear mechanism. The results indicate that the D-gun sprayed hard coating deposited at higher values of energy show better resistance to wear.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu tioantymonianu antymonu na powierzchnie metalowe w różnych układach tribologicznych. Wywnioskowano, że szczególne właściwości tioantymonianu antymonu uaktywniały inne smary stałe w warstwach kompozytowych. W trakcie badań elektrochemicznych stwierdzono, że cząstki tioantymonianu antymonu mają w odróżnieniu od innych właściwości bipolarne. Właściwości te powodują ich szczególne działanie i efekt antyzużyciowy w warstwach samosmarnych. Na podsatwie topografii powierzchni oraz analizy warstw wierzchnich metodą SEM i EDS stwierdzono, że warstwy przeciwzużyciowe tworzyły się dzięki przemianie tioantymonianu antymonu.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.