Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Investigation of silicon nitride and DLC thin films hardness deposited with RF PECVD method

Dominik M., Śmietana M., Król K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 11

35-38

EN

This paper presents the results of nanohardness measurements of silicon nitride (SiNx) and two types of diamond-like carbon films (DLC) deposited by radio-frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD) method. In order to accurately determine hardness of SiNx and DLC films two approximation methods have been applied, where first includes an effect of the substrate (layer/substrate system), and the second takes into account an additional silicon dioxide (SiO2) interlayer (layer/SiO2/substrate system). In this work thickness and roughness of the films has also been investigated. The study has shown that the DLC films are slightly harder than SiNx films.

PL

Praca ta dotyczy badań twardości warstw azotku krzemu (SiNx) oraz warstw diamentopodobnych (DLC, ang, diamond-like carbon films) osadzanych metodą chemicznego osadzania z fazy lotnej wspomaganego plazmą. W celu dokładnego wyznaczenia twardości warstw SiNx i DLC zastosowano dwa rodzaje metod aproksymacji wyników pomiarów metodą nanoindentacji. Pierwsza z nich uwzględniała jedynie wpływ podłoża (warstwa/podłoże) natomiast w drugiej metodzie uwzględniono także wpływ dodatkowej warstwy SiO2 (tlenku krzemu) (warstwa/SiO2/podłoże). W niniejszej pracy badane były również grubość oraz chropowatość warstw. Badania wykazały, że warstwy DLC są nieco twardsze od warstw SiNx.

2

Analiza strukturalna i fazowa nanokompozytowych warstw a-C:H/Ti wytworzonych hybrydową metodą RF PACVD/MS

Batory D., Wilczek R., Szymański W., Cłapa M.

Inżynieria Materiałowa

|

2010

|

Vol. 31, nr 4

856-859

PL

Praca dotyczy nanokompozytowych warstw a-C:H/Ti wytworzonych w procesie reaktywnego rozpylania magnetronowego, prowadzonego w obecności wyładowania wysokiej częstotliwości. Opracowana technologia zakłada zastosowanie tytanu jako materiału domieszki ze względu na jego wysokie powinowactwo chemiczne do węgla oraz bardzo dobre właściwości mechaniczne supertwardej ceramiki TiC. W wyniku procesu syntezy otrzymywane są nanoktystaliczne wydzielenia węglików TixCy, równomiernie rozmieszczone w amorficznej osnowie węglowej, których wielkość oraz skład chemiczny zależne są od warunków procesu nanoszenia. W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu parametrów syntezy na topografię powierzchni, skład fazowy oraz strukturę warstw nanokompozytowych, wytworzonych na podłożach krzemowych. Badania topografii powierzchni przeprowadzono za pomocą techniki mikroskopii sił atomowych (AFM). Niskokątowa dyfrakcja promieni Roentgena (XRD) wykorzystana została do analizy składu fazowego warstw, natomiast badania struktury oraz składu chemicznego przeprowadzono za pomocą transmisyjnej mikroskopii elektronowej (TEM).

EN

Presented work concerns a nanocomposite a-C:H/Ti layers deposited in reactive magnetron sputtering process conducted in the presence of radio frequency discharge. The technology assumes application of titanium as the additive material due to its high chemical affinity to carbon and very good mechanical properties of superhard TiC ceramics. As the result of the synthesis process nanocrystalline inclusions of TixCy carbides evenly distributed In amorphous carbon matrix. Size and chemical composition of obtained carbi- des depend on the process parameters. In this work the results of investigations of the influence of the synthesis parameters on the surface topography, chemical and phase composition as well as the structure of nanocomposite layers deposited onto silicon substrates are presented. Surface topography was determined using atomic force microscopy (AFM), low angle X-ray diffraction (XRD) was used to analyze the phase composition, whereas structure and chemical composition were characterized with use of transmission electron microscopy (TEM).

3

Emission properties of diamond and diamond-like carbon films deposited by various methods

Jarzyńska D., Staryga E.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

|

2005

|

Vol. 25

15-34

EN

The electron field-emission properties of diamond-like carbon (DLC) thin films and diamond films (DF) were examined by measuring the field-emission current as a function of applied macroscopic electric field. The DLC and DF films were deposited on flat silicon substrates by means of RF PCVD and HF CVD techniques, respectively. The field emission research was carried out using a diode configuration. The results of field emission were analyzed using the Fowler - Nordheim model. The conditioning process of DF and DLC films as the effect improving the electron emission characteristics of these films was studied. The DF films showed better characteristics, that is, lower turn-on field, than DLC films. The characteristics of the investigated carbon-based films depended not only on the structure and sp2 inclusions but also on the film thickness and applied bias voltage.

PL

Właściwości emisyjne warstw diamentowych (DF) i diamentopodobnych (DLC) określono w wyniku pomiaru prądu emisji w funkcji przyłożonego makroskopowego pola elektrycznego. Warstwy węglowe osadzone zostały na gładkim podłożu krzemowym przy użyciu metody HF CVD i RF CVD, odpowiednio dla warstw DF i DLC. Charakterystyki emisyjne zmierzono przy użyciu techniki wykorzystującej sondę anodową, a uzyskane na ich podstawie wyniki analizowano w oparciu o model Fowlera-Nordheima. W pracy rozważa się wpływ różnorodnych czynników na właściwości emisyjne badanych układów warstwa węglowa/półprzewodnik. Przeprowadzono proces kondycjonowania warstw węglowych prowadzący do polepszenia właściwości emisyjnych badanych warstw. Dla warstw DLC wytwarzanych przy większych wartościach potencjału autopolaryzacji, uzyskano większe wartości prądu emisji. Morfologię warstw DF i DLC zbadano przy użyciu skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM). Zastosowanie spektroskopii ramanowskiej umożliwiło określenie struktury warstw diamentowych i diamentopodobnych.

4

Kolorowe warstwy węglowe

Cłapa M., Mitura A., Mitura S., Niedzielski P.

Inżynieria Materiałowa

|

2000

|

R. XXI, nr 6

252-253

PL

Diament jest materiałem cenionym zarówno przez jubilerów jak i naukowców, okazuje się, że czasami cele jednych i drugich stają się zbieżne. W pracy przedstawiono unikatowe właściwości cienkich warstw diamentopodobnych. Możliwości powtarzalnego wytworzenia takich powłok o różnych efektownych barwach umożliwiają zastosowanie ich w przemyśle jubilerskim.

EN

Diamond, because of its specific properties, is a material desired not only by jewellers but also by scientists, sometimes the aims of both begin to be the same. In the paper the unique properties of thin diamond-like layers are presented. Reproducible manufacturing of such coatings with different colours makes possible to apply them in jewellery.

5

Emisyjność w podczerwieni materiałów stosowanych w mikroelektronice

Więcek B.

Elektronika : prace naukowe

|

1998

|

nr 3

111-129

PL

W pracy przedstawiono własności promienne materiałów stosowanych w mikroelektronice, w tym półprzewodników, dielektryków i metali. Wyniki pomiarów emisyjności spektralnej krzemu, germanu, aluminium, warstw diamentopodobnych oraz ceramiki alundowej mogą być wykorzystane do termografii i modelowania złożonej wymiany ciepła.

EN

This paper presents radiation characteristics and IR emissivity measurements for materials used in electronics, eg.: aluminium, silicon, germanium and diamond-like structures, alumina. The measurements of emissivity for semitransparent and multilayers dielectric materials performed with the use of IR Spectrometer are presented. For every sample the reflected and transmitted energy is measured, and material constants for various spectral ranges are evaluated. The results of this work may be useful both in modelling heal removal by radiation in microelectronic devices and in thermography.