Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: warstwa azotku krzemu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Warstwa azotku krzemu jako warstwa antyrefleksyjna i pasywujaca dla krzemowych ogniw słonecznych

Lipiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 4

62-66

Przedmiotem pracy jest warstwa azotku krzemu spełniająca rolę warstwy antyrefleksyjnej i pasywującej w krzemowym ogniwie słonecznym. Pokazano również, ze warstwy SiNx o dużej gęstości osadzone metodą LF PECVD są bardziej odpowiednie dla ogniw słonecznych niż osadzone metodą RF PECVD. Zastąpienie warstw TiOx przez warstwy SiNx zwiększyło sprawność ogniw o 11,9%.

The paper deals with silicon silicon nitride layers for silicon solar cells application. The silicon layer is deposited by RF and LF PECVD methods. It was shown that high density SiNx layer deposited by LF PECVD are more suited for solar cells than layers deposited by RF PECVD method. The efficiency of solar cells was increased about 11.9% by replacing TiOx ARC by LF PECVD SiNx ARC.

Synteza bezpostaciowych warstw dielektrycznych metodą CVD o wysokiej przeświecalności

Kwatera A., Sawka A.

Inżynieria Materiałowa

2000

R. XXI, nr 6

332-335

Materiały dielektryczne zarówno w postaci cienkich warstw jak i w dużej objętości, z uwagi na dużą przerwę energetyczna między pasmem podstawowym i przewodnictwa, mogą mieć bardzo wysoką przeświecalność w świetle widzialnym, jeżeli występują w formie bezpostaciowej lub monokrystalicznej. W przypadku materialów dielektrycznych polikrystalicznych ich przeświecalność może być znacznie obniżona ze względu na rozpraszanie światła na granicach międzyziamowych. Występowanie nukleacji homogenicznej w procesie syntezy warstw metodą CVD powoduje również znaczne obniżenie przeświecalności warstw bezpostaciowych i monokrystalicznych. Powstające w wyniku tego procesu porowate proszki, o składzie zbliżonym lub takim samym jak sklad syntezowanej warstwy mogą osiadać również na syntezowanej warstwie, przez co warstwa wykazuje znaczną porowatość. Takie cząstki powodują powstawanie granic międzyfazowych (między fazą bezpostaciową litą i fazą bezpostaciową porowatą). Na powstałych granicach również dochodzi do rozpraszania światła. W pracy przedstawiono wyniki badań nad wpływem temperatury syntezy warstw Si3N4 na szkle kwarcowym metodą CVD na ich przeświecalność.

Si3N4 layers were synthesized by CVD method using a mixture of Sil-l, (3% by volume) with N2 and pure ammonia gas. Pure argon was the carrier gas. Silieon nitride layers were deposited on the inner surfaces of quartz glass tubes. Tt was ascertained that hornoge neous nucleation reduced the transparency of the layer by an extent depending on the degree of its participation. ShN4 layers of 0,2 urn thickness, synthesized without the participation ofhomogeneous nucleation, exhibited a decrease in visible light transmission of 1-3% and homogeneous nucleation reduced the light transmission even as much as 20%.