Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 2001

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: warstwa aluminium

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Cemented carbide cutting tools with high purity alumina CVD layers.

Sawka A., Kwatera A.

Inżynieria Materiałowa

2001

R. XXII, nr 5

805-808

Deposition of high purity Al2O3 layers on cemented carbide cutting tools with no intermediate layer of TiC using alumina acetyloacetonate Al(O2C5H7)3 as precursor was investigated. Pure ammonia (NH3) and argon (Ar) were used as carrier gases. Carbon (solid by-product of Al(acac)3 pyrolisis) was eliminated by introduction of air - source of oxygen - into the CVD reactor. Al2O3 layers were synthesized in the temperature range of 800-1100 degrees centigrade at their growth rate of even 5 micrometers/h. The layers synthesized at 800 degrees centigrade were holding at a temperature of 900-1100 degrees centigrade, what caused their crystallization. The layers obtained were smooth and well adhered to the substrate.

W pracy prowadzono badania nad syntezą czystych warstw Al2O3 na narzędziach skrawających z węglików spiekanych, nie pokrywanych uprzednio pośrednią warstwą TiC, z użyciem acetyloacetonianu glinu AL(O2C5H7)3. Jako gazy nośne stosowano czysty amoniak (NH3) i argon (Ar). Węgiel (produkt pyrolizy Al(acac)3) eliminowano przez wprowadzenie powietrza - źródła tlenu - do reaktora CVD. Warstwy Al2O3 osadzano w zakresie temperatur 800-1100 stopni Celsjusza. Szybkość wzrostu tych warstw wynosiła nawet 5 mikrometrów/h. Warstwy syntezowane w 800 stopni Celsjusza wygrzewano dodatkowo w temperaturach 900-1100 stopni Celsjusza, co powodowało ich krystalizację. Otrzymane warstwy były gładkie i dobrze przyczepne do podłoża.