W pracy przedstawiono wyniki badań rezystancyjnego szumu 1/f obserwowanego w rezystorach grubowarstowych. Badania szumu prowadzono w funkcji temperatury oraz napięcia polaryzacji. Zaobserwowano, że wzrost napięcia polaryzacji rezystora oraz temperatury powodują stłumienie szumu. W celu wytłumaczenia obserwowanych zjawisk zaproponowano model przewodnictwa skokowego uwzględniający sprzężenie pomiędzy lokalnym polem elektrycznym i temperaturą elektronów. We wnioskach wskazano związek pomiędzy wykładnikiem opisującym tłumienie szumu przez napięcie polaryzacji i wykładnikiem opisującym sprzężenie elektrotermiczne.
EN
1/f noise has been observed in laboratory prepared thick film resistors in temperature down to 0.3K. It has been revealed that bias voltage supresses noise magnitude. Hopping model of electrical transport taking into account both inhomogeneity of resistive material and electrothermal feedback has been proposed in order to explain above phenomenon. The relation of exponent describing noise magnitude suppression with bias voltage and electrothermal feedback exponent has been shown.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.