Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2007

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: warstwa Ge-Sb-V

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

The transport properties of sputter-deposited Ge-Sb-V thin films

Beensh-Marchwicka G., Prociów E., Berlicki T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 12

49-50

Temperature-dependent transport properties of p-type Ge-Sb-V films prepared by the pulse magnetron sputtering technique have been studied. Doping of Ge by Sb and V and post-deposition annealing in air atmosphere at 823 or 923 K were the necessary preconditions of obtaining enhanced p-type conduction and considerable high values of Seebeck coefficient ranging from 400 to 160 µV/K. The temperature of post-deposition annealing and V content were taken as varying parameters to observe any variations in temperature dependent resistivity and thermoelectric power in the film and tried to explain the electrical transport mechanism therefrom. The structural analysis showed that films 3 µm thick remained microcrystalline and the variable range hopping (VRH) in three dimension system was dominant mechanism for d.c. charge transport.

Analizowano temperaturowo zależne własności transportu warstw Ge-Sb-V, otrzymywanych techniką impulsowego rozpylania magnetronowego, wykazujących przewodnictwo typu p. Domieszkowanie Sb i V germanu i starzenie po wytworzeniu w atmosferze powietrza przy 823 lub 923 K było warunkiem koniecznym otrzymania przewodnictwa typu p i bardzo dużej wartości współczynnika Seebecka od 400 do 160 µV/K. Temperaturę wygrzewania warstw po nanoszeniu i zawartość wanadu w warstwie przyjęto jako zmienne parametry do badania wpływu na zachowanie się rezystywności i siły termoelektrycznej w funkcji temperatury i na tej podstawie próbowano określić mechanizm transportu nośników w warstwach. Analiza struktury wykazała, że warstwy o grubości około 3 µm pozostają mikrokrystaliczne oraz, że dominującym mechanizmem transportu nośników dla prądu stałego był trójwymiarowy hopping zmienno-zasięgowy (VHR).