PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  własności powierzchni
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ parametrów cięcia plazmowego na jakość powierzchni ciętej
Serek P., Łatka L.
Przegląd Spawalnictwa
|
2016
|
R. 88, nr 8
68--72
PL
Przedstawiono charakterystykę cięcia plazmowego stali S355J2 wraz z oceną wizualną elementów, oceną jakości ciętych powierzchni (pomiar tolerancji prostopadłości i średniej wysokości profilu chropowatości Rz5) w oparciu o PN-EN ISO 9013:2008 oraz pomiarem wartości twardości HV10.
EN
Presents characteristics of plasma cutting of steel S355J2 with element’s visual evaluation, quality of cut surfaces evaluation (measurement of squareness tolerance and average profile height of roughness Rz5) based on PN-EN ISO 9013:2008 standard and measurement of hardness values HV10.
2
Kształtowanie powierzchni w procesie toczenia tytanu WT3-1 narzędziami punktowymi
Zawora J.
Inżynieria Powierzchni
|
2016
|
nr 3
8--16
PL
W artykule scharakteryzowano podstawowe własności i obróbkę stopów tytanu. Przedstawiono budowę doświadczalnego modelu matematycznego procesu toczenia z zastosowaniem techniki planowania eksperymentów. Zaprezentowano model matematyczny dla tytanu WT3-1 i wybrane cechy dotyczące parametru R: (DIN). Wskazano możliwości zastosowania modelu matematycznego w praktyce.
EN
The article describes the basic properties and processing of titanium alloys. It presents the development of an experimental mathematical model of the turning process with the use of the technique of planning experiments. A mathematical model for titanium WT3-1 and selected features concerning the parameter R. (DIN) were presented. The possibility of applying a mathematical model in practice was indicated.
3
Content available remote Modelowanie ab initio powierzchni GaN(OOO1) za pomocą metody funkcjonału gęstości (DFT)
Krakowski S., Kempisty P., Strąk P.
Postępy Fizyki
|
2010
|
T. 61, z. 2
68-76
PL
Omówiono stan i znaczenie badań powierzchni GaN (0001) dla rozwoju podstaw fizycznych azotkowych technologii optoelektronicznych. Sposoby modelowania powierzchni za pomocą metody DFT w tym jej sformułowanie i zastosowanie do modelu slabu powierzchni GaN (0001) zostały pokrótce wyjaśnione. Przedstawiono podstawy modelowania wpływu domieszkowania półprzewodnika na własności powierzchni poprzez kontrolę elektrycznych pól przypowierzchniowych. Omówiono wyniki dotyczące czystej powierzchni GaN(OOOl), w tym jej strukturę i własności elektronowe. Wyjaśniono występowanie zjawiska Starka stanów powierzchniowych (Surface States Stark Effect - SSSE) i jego wpływ na energie stanów powierzchniowych i zagięcie pasm przy powierzchni. Wykazano, że pinning stanów powierzchniowych może zachodzić przy ich zmianie energii względem energii pasmowych. Ponadto omówiono modele adsorpcji równowagowy i kinetyczny na przykładzie adsorpcji wodoru i azotu. Wykazano, że modele te dają spójny obraz powierzchni GaN (0001) w metodach metodach wzrostu przy użyciu amoniaku - powierzchnia ta jest pokryta rodnikami NH2.
EN
The present state and the importance of the investigations of GaN(OOOl) surface for the development of physical foundations of nitride optoelectronic technologies are discussed. Surface modeling techniques by DFT method, including its formulation and application to slab models of GaN (0001) surface are shortly explained. The foundations of the simulation of the influence of doping of bulk semiconductors on surface properties by electric subsurface field control are introduced. The results concerning clean GaN (0001) surface, including its structure and electronic properties are discussed. The existence of Surface States Stark Effect (SSSE) and its influence on the energy of surface states energy and band bending is explained. It was shown that Fermi energy pinning occurs at the change of the relative energies of surface and band states. Additionally, the models of the adsorption: equilibrium and kinetic was discussed on example adsorption of hydrogen and nitrogen. It was proved that these models give coherent picture of GaN (0001) surface in ammonia based growth methods - the surface is covered by NH2 radicals.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.