Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: właściwości elektronowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Electronic properties of in-situ prepared nanocrystalline TM1-Ti (TM1 = Fe, Co, Ni) thin films

Smardz K., Smardz L.

Inżynieria Materiałowa

2004

R. XXV, nr 3

234-237

Equiatomic TM1-Ti (TM1 = Fe, Co, Ni) thin alloy films and TM1/Ti multilayers (MLs) were prepared onto SiO2(101)/Si(111) substrates using UHV RF/DC magnetron sputtering. The chemical composition and the cleanness of all samples was checked in-situ, immediately after deposition, transferring the samples to an UHV (4 x 10^-11 mbar) analysis chamber equipped with XPS and AES. Results showed that the TM1 sublayers grow in the soft magnetic nanocrystalline phase for a thickness lower than the critical one (2.3, 3.0, and 4.0 nm for Fe, Co, and Ni sublayers, respectively). In that case, the average TM1 grain size is significantly smaller than the magnetic exchange length for the TM1 layer (L(ex)). For a thickness greater than the d(crit), the TM1 sublayers undergo a structural transition to the polycrystalline phase with average grains size D > L(ex). Structural studies revealed also the formation of the nanocrystalline TM1-Ti alloy film during the deposition process at a substrate temperature of 293 K. The average TM1Ti crystallites size in direction perpendicular to the substrates determined from the Scherrer equation was about 15 nm. In-situ XPS studies showed that the valence bands of nanocrystalline TM1-Ti alloy films are significantly broader compared to that measured for the polycrystalline bulk alloys.

Cienkie warstwy stopowe TM1-Ti (TM1 = Fe, Co, Ni) i wielokrotne TM1/Ti zostały naniesione na podłoża SiO2(101)/Si(111) metodą rozpylania magnetronowego UHV RF/DC. Skład chemiczny i czystość wszystkich warstw badano in-situ, niezwłocznie po naniesieniu, transferując próbki do komory analitycznej UHV (4 x 10^-11 mbar) wyposażonej w XPS i AES. Rezultaty pokazały, że subwarstwy TM1 rosną w miękkiej magnetycznie fazie nanokrystalicznej poniżej grubości krytycznej wynoszącej 2.3, 3.0, 4.0 nm odpowiednio dla subwarstw Fe, Co, Ni. W tym przypadku, średni rozmiar ziarna TM1 jest znacznie mniejszy od magnetycznej długości wymiany (L(ex)). Dla grubości większych od d(crit), subwarstwa TM1 rośnie w polikrystalicznej o średnim rozmiarze ziarna D > L(ex). Badania strukturalne potwierdziły również tworzenie się nanokrystalicznej warstwy stopowej TM1-Ti podczas procesu nanoszenia w temperaturze 293 K. Średni rozmiar krystalitów TM1-Ti w kierunku prostopadłym do podłoża, określony z równania Scherrera, wynosił około 15 nm. Badania in-situ XPS pokazały, że pasma walencyjne nanokrystalicznych warstw stopowych TM1-Ti są znacznie szersze w porównaniu z pasmami walencyjnymi litych stopów polikrystalicznych.

Cienkie warstwy germanowęglowe otrzymywane w wyładowaniu jarzeniowym - struktura chemiczna.

Szymanowski H.

Inżynieria Materiałowa

2000

R. XXI, nr 6

457-459

Badając procesy nakładania w nowym trójelektrodowym reaktorze plazmowym stwierdzono bardzo dużą zależność właściwości otrzymanej warstwy od jednego z parametrów prowadzenia procesu. Wykorzystując różne techniki badawcze poszukiwano odpowiedzi na pytanie: jakie zmiany budowy chemicznej produktu są odpowiedzialne za tak drastyczne zmiany we właściwościach warstwy a-GexCy:H. Dokonano także obliczeń stopnia upakowania warstwy. Na tej podstawie stwierdzono, że zgodnie z teorią stanu amorficznego izolatora, przejście do struktury amorficznego półprzewodnika następuje wówczas, gdy stopień uporządkowania osiągnie odpowiednią wartość krytyczną. Taki typ zmiany właściwości elektronowych nosi nazwę przejścia o charakterze perkolacyjnym.

The new type of reactor for plasma deposition activated by audio frequency electric field was tested for deposition of amorphous hydrogenated films (a-GexCy:H). It was found that small changes of a coupling capacity in the system can cause a step change in the electronic structure of deposited films. Such a change, however, was not manifested by the molecular structure and only monotonic changes of Ge content and cross-linking were observed. The step in the electronic structure was attributed to the amorphous semiconductor-amorphous dielectric transition.