Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: właściwości elektrofizyczne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modifying electrophysical properties of Si-cBN interface by introduction of ultrathin dielectric layer

Firek P., Mroczyński R., Szmidt J., Beck R.B., Werbowy A.

Inżynieria Biomateriałów

2006

R. 9, nr 56-57

27-29

This study concerns modifications of Si-cBN interface (with and without dielectric underlayer), c-BN films produced on p-type <100> Si substrates by means of Radio Frequency (RF) CVD process. Silicon nitride and oxynitride were deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition technique and used as a dielectric underlayer. MIS devices were fabricated to allow electrical characterization. Moreover, the influence of underlayers on adhesion of c-BN to silicon substrate was examined.