Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  węglik krzemu (SiC)
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W artykule przedstawiono wybrane zagadnienia związane z doborem dławików wejściowych wielogałęziowego przekształtnika typu DC/DC o charakterystyce podwyższającej napięcie, sprzęgającego baterię modułów fotowoltaicznych z trójfazowym, dwupoziomowym falownikiem napięcia. Rozpatrzono trzy topologie dławików: jako elementów pracujących niezależnie oraz o dodatnim i ujemnym sprzężeniu magnetycznym. Na podstawie badań symulacyjnych topologie te oceniono pod względem wartości tętnień prądu pobieranego z baterii ogniw słonecznych. Zamieszczono wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika dwugałęziowego DC/DC o mocy znamionowej PN = 3kW, zbudowanego z elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu, umożliwiających przełączanie z częstotliwością fs =125 kHz.
EN
In this work the selection of input inductors for interleaved DC/DC boost converter as device between PV battery and three phase voltage source inverter was presented. Description of three topologies has been taken into account: two independent inductors, two inversely and directly coupled inductors. Based on simulation studies of these topologies, values of PV battery current ripples were evaluated. Results obtained from experimental tests with use two phase, 3kW DC/DC converter build with use Silicon Carbide semiconductors operating with frequency equal fs =125kHz were also showed.
2
Content available remote Materiały węglowe modyfikowane nanokrystalicznym węglikiem krzemu SiC
PL
W wielu zastosowaniach tradycyjne materiały węglowe wymagają modyfikacji, prowadzącej do poprawy ich właściwości, co osiągnąć można np. poprzez stosowanie odpowiednich dodatków uszlachetniających. Jednym ze sposobów jest wprowadzanie krzemu lub jego związków do mieszaniny surowców węglowych i obróbka termiczna złożonego układu prekursorów. Powstający w takich warunkach SiC poprawia właściwości uzyskanych kompozytowych materiałów C/SiC. W pracy przedstawiono wyniki badań, dotyczące kompozytowych materiałów C/SiC, otrzymywanych w dwuetapowym procesie syntezy aerozolowej oraz omówiono ich właściwości głównie w oparciu o wyniki badań dyfrakcji rentgenowskiej XRD i termograwimetrycznych TGA.
EN
In many applications, traditional carbon materials require appropriate modifications to improve their properties by applying various additives. One way of modification is the introduction of elemental silicon or its compounds to raw carbon materials and subsequent heat treatment of such composite systems. The synthesized SiC improves the properties of the resulting C/SiC composite materials. In this paper, the preparation of C/SiC materials by the two-stage aerosol method is described and their properties based mainly on the XRD and TGA determinations are discussed.
PL
Przedstawiono w postaci zadań przebieg oceny właściwości statycznych, dynamicznych, termicznych i szumowych komercyjnych elementów i przyrządów z SiC. Bardziej szczegółowo opisano pomiary parametrów i charakterystyk termicznych. Określono, że wynikiem prac będą stanowiska laboratoryjne do badań właściwości statycznych, dynamicznych, termicznych i szumowych komercyjnych wytworzonych w ramach projektu elementów i przyrządów z SiC, wyniki pomiarów ww. parametrów i charakterystyk, modele elektryczne i termiczne elementów i przyrządów, wnioski z aplikacji elementów i przyrządów z SiC w przetwornikach DC/DC i układach mikrofalowych.
EN
The investigations concerned on static, dynamic, thermal and noise properties evaluations for commercial SiC components and devices were presented. The measurements of thermal parameters and characteristics were detailed described. The results of investigations as: laboratory systems for static, dynamic, thermal and noise parameters and characteristics measurements and evaluations, complex results of measurements mentioned above parameters and characteristics, electrical and thermal models for SPICE, conclusions from typical applications of SiC components and devices (DC/DC converters, microwave circuits), are expected.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.