Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: voltage-current multiplier cell

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

A current - controlled FET

Kordalski W.

Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne

2007

T. 14

635-647

A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenom-ena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated to low-power and low-voltage integrated circuit applications and besides it can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. As an element of analog integrated circuits, it can be applied to realize, e.g., a potential-free current amplifier, an operational potential-free current amplifier (scaling, summation, subtracting, differentiating, and integrating), and a voltage-current multiplier.

W pracy zaproponowano nowy przyrząd półprzewodnikowy, mianowicie prądowo sterowany tranzystor polowy z izolowaną bramką zawierający dwa poziomo dzielone dreny (płaszczyzna podziału drenów jest równoległa do powierzchni półprzewodnika). Zasada działania tranzystora oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych, zjawisku łagodnego odrywania się kanału i prawie Biota-Savarta-Laplace'a. Pracą przyrządu można sterować jednocześnie za pomocą dwóch elektrod - prądowej i napięciowej. Zaproponowano także zastosowania nowego tranzystora jako elementu wybranych bloków analogowych układów scalonych.