Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: via holes

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

A Novel Design of U-Slotted SIW Based Wideband Antenna

Pramono Subuh, Triyono Eddy, Subagio Budi Basuki

International Journal of Electronics and Telecommunications

2020

Vol. 66, No. 4

613--618

In this paper, we proposed a novel design of U-slotted SIW antenna. Our antenna design is aimed to cover upper K-band and lower Ka-band spectrums, specifically from 24 GHz to 32 GHz. It has a compact square size of 5.2 x 5.2 mm2. We use a rectangular truncated corner to optimize the square radiator. The optimized rectangular truncated corner size of 2 x 0.8 mm2 gives an impedance bandwidth of 7.87 GHz. SIW cavity is constructed by using multiple metallic via-holes which are drilled in a dielectric substrate establishing. Next optimization, applying the U-shaped slot and SIW structure yield a wider impedance bandwidth of 8.89 GHz, there is about 1.02 GHz of impedance bandwidth enhancement. In addition, the SIW structure gives a higher gain of 7.63 dB and decreases the sidelobe level of -12.1 dB. Implementation of the SIW structure significantly decreases the size of antenna while keeping the antenna parameter’s performances.

Fabrication of through-holes in GaAs substrates for device applications

Zubel I., Kramkowska M., Zborowska-Lindert I.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 3

127-130

The process of via-holes fabrication in GaAs wafers was developed. Wet chemical etching both for substrate thinning and via-holes etching was employed. The solutions based on sulfuric and citric acid were tested in a wide range of compositions. The phenomena connected with the etching process like etching anisotropy and its influence on the shapes of etched holes were considered. At the end, possible applications of the new developed process were discussed.

Opracowano proces wytwarzania otworów przelotowych w płytkach GaAs. Do pocieniania podłoża i do trawienia otworów zastosowano mokre trawienie chemiczne. Wykorzystano roztwory na bazie kwasu cytrynowego i siarkowego, które przetestowano w szerokim zakresie składów. Przeanalizowano zjawiska związane z procesem trawienia jak anizotropia trawienia i jej wpływ na kształty trawionych otworów. Przedyskutowano również możliwości zastosowań nowo opracowanego procesu.