Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Spektrum

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: vertical transistor

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu

Taube A., Sochacki M., Szmidt J.

Spektrum

2012

nr 9-10

I-V

W artykule przedstawiono wyniki modelowania wertykalnego tranzystora DIMOSFET w węgliku krzemu. Przedstawiono wyniki wpływu kształtu profilu oraz energii i dozy implantacji wyspy typu p na parametry pracy tranzystora Szczególną uwagę poświęcono zapewnieniu wysokiej wartości napięcia przebicia przy jednoczesnym zachowaniu niskiej wartości napięcia progowego. W pracy przedstawiono również wpływ zastosowania dielektryków o wysokiej względnej przenikalności elektrycznej na charakterystyki elektryczne tranzystora. Wykonane symulacje pokazały, że możliwe jest uzyskanie rezystancji w stanie włączenia Ron poniżej 2 m(omega)cm-2 (przy zakładanej ruchliwości elektronów w kanale že=70 cm2/Vs) przy napięciu przebicia na poziomie 1,3 kV.

Numerical device simulations on a 4H-SiC Vertical MOSFET are presented. The simulations mainly focus on the influence of design parameters on reverse blocking voltage, threshold voltage, forward characteristics and on state resistance. Influence of usage of high-k dielectrics is also discussed Optimised structure have high blocking voltage of 1 3kV and very low specific on resistance of 1.59 m(omega)cm-2.