Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: varactors

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Performance and operation of stressed dual gap RF MEMS varactors

McFeetors G., Okoniewski M.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2007

nr 1

3-7

The design, fabrication and measurement of a con- tinuously tunable RF MEMS capacitor is described. The capacitor's dual gap height architecture allows for electro- static tuning with low resistive loss and a large tuning range. A new dual tuning scheme is introduced for use with two voltage sources. This dual tuning, coupled with a stress-induced bridge, is used to reach further device tuning. Measurements indicate a continuously tunable capacitance range of 6.2:1 with a quality factor over 50 at 30 GHz for 310 fF.

Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe : z perspektywy 50 lat

Klamka J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 6

40-46

Przedstawiono historię rozwoju pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych opracowanych przez autora i jego zespół. Dotyczy to głównie diod prostowniczych, diod Zenera, fotodiod oraz różnych przyrządów mikrofalowych (waraktorów, diod lawinowych, diod PIN, diod Gunna, diod Schottky'ego, tranzystorów i podzespołów), wytwarzanych głównie w Pionie Mikrofal Instytutu Technologii Elektronowej.

In the paper, a history of the first semiconductor devices that were designed in Poland by the author and his co-workers, is described. It includes rectifier diodes, Zener diodes, photodiodes and microwave devices (varactors, avalanche diodes, PIN diodes, Gunn diodes, Schottky diodes, transistors and subsystems) - all developed at the Institute of Electron Technology, mainly in the Microwave Division of that Institute.