Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: vacuum annealing

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ wysokotemperaturowego wygrzewania próżniowego na lutowność Inconelu 718 lutem Palnicro 36

Dul I., Senkara J., Bober M., Jakubowski J.

Przegląd Spawalnictwa

2013

R. 85, nr 9

15--19

Lutowanie twarde Inconelu 718 jest utrudnione ze względu na zawartość w materiale dodatków stopowych o wysokim powinowactwie do tlenu. Ponadto w praktyce przemysłowej detale przed lutowaniem przechodzą szereg operacji technologicznych w podwyższonej temperaturze w próżni. Celem pracy było zbadanie, jaki wpływ mają procesy wyżarzania próżniowego na lutowność Inconelu 718 lutem Palnicro 36. Badano zwilżalność i rozpływność ciekłego lutu na powierzchni materiału wyżarzanego uprzednio w próżni w różnych warunkach czasu i temperatury, a także mikrostrukturę złączy lutowanych. Ustalono, iż lutowność Inconelu 718 lutem Palnicro 36 pogarsza się ze wzrostem temperatury uprzedniego wyżarzania w próżni.

Brazing of Inconel 718 is difficult due to the presence of alloying material with high affinity for oxygen. Moreover, in commercial practice, the machine parts before brazing pass a number of technological operations at elevated temperature in vacuum. The aim of this study was to investigate the effect of vacuum annealing processes of Inconel 718 on the brazeability of Palnicro 36 brazing filler metal. The wetting and spreading of the liquid brazing filler metal were studied on the surface of the material previously annealed in vacuum at different conditions of time and temperature, and the structure of brazed joints. It was found that the brazeability of Inconel 718 by Palnicro 36 brazing filler metal deteriorates with increasing the previous annealing temperature in the vacuum.

Growth orientation transition and metal-like conductivity of Ti, Al co-doped ZnO films

Jiang M., Liu X., Wang H., Xu J.

Materials Science Poland

2010

Vol. 28, No. 1

273--280

Ti, Al co-doped ZnO thin films have been fabricated by radio frequency magnetron sputtering and post-vacuum-annealing techniques on glass substrates. For annealing temperatures below 723 K, the room temperature resistivity of these films was found to decrease as the annealing temperature increased. The lowest resistivity (6.75×10-4 ?ocm), indicating metal-like conductivity, was found at 723 K. The post-annealing temperature dependent on the resistivity of these films also showed a metal - semiconductor transition at 723 K. It was also found a growth orientation transition of these films from (002) to (100) with the annealing temperature up to 773 K.