Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: urządzenie spintroniczne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Cienkowarstwowe Magnetyczne Złącza Tunelowe i ich zastosowania

Wiśniowski P.

Przegląd Elektrotechniczny

2006

R. 82, nr 3

68-73

Pracy dotyczy badań wpływu warstw buforowych magnetycznego złącza tunelowego typu zawór spinowy na istotne z punktu widzenia zastosowań spintronicznych parametry złącza takie jak: tunelowa magnetorezystancja, rezystancja na powierzchnię oraz pola przełączeń warstwy swobodnej i przytrzymanej. Zaprojektowano i wykonano magnetyczne złącza tunelowe o różnej strukturze i rodzaju warstw buforowych. Odpowiednie struktury warstw buforowych wygenerowały złącza o różnych własnościach mikrostrukturalnych (różne tekstury i szorstkości). Tekstura i szorstkość decydująco wpłynęły na własności elektryczne i magnetyczne złącz. Wpływ ten został zbadany poprzez pomiary zależności konduktancji złącz od temperatury i napięcia, charakterystyk prąd-napięcie, pętli histerezy magnetorezystancyjnej i magnetycznej.

The influence of buffer layers of spin valve magnetic tunnel junctions on important, from the standpoint of spintronic applications, parameters of the junctions such as: tunneling magnetoresistance, resistance area product, and switching fields of free and pinned layers was investigated. Spin valve magnetic tunnel junctions with different buffer structures and type of buffer layers were design and fabricated. These buffers induced different microstructural properties (texture and roughness) in the junctions. Roughness and texture significantly influenced on the electrical and magnetic properties of the junctions. The influence was determined by measuring dependence of conductance on temperature and bias voltage, current-voltage characteristics, and magnetoresistance and magnetisation hysteresis loops.