Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: unipolar devices

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Photoluminescence characterization of AlGaAs/GaAs test superlattices used for optimization of quantum cascade laser technology

Wojcik-Jedlinska A., Wasiak M., Kosiel K., Bugajski M.

Optica Applicata

2009

Vol. 39, nr 4

967-974

In this paper, we present the application of photoluminescence spectroscopy as a diagnostic method for evaluation of correctness and homogeneity of AlGaAs/GaAs test superlattices used in the development of quantum cascade laser technology. The structures investigated are used for the growth rate calibration of quantum-cascade-laser structures. The influence of various structural parameters on the observed photoluminescence signal is studied experimentally and theoretically. On the basis of this discussion we analyse spatial uniformity of the epitaxial material over the wafer and diagnose accuracy of the deposition process.

SMIS : nowa struktura unipolarna

Rosowski A., Lisik Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 11

59-64

Zaprezentowane zostały wyniki symulacji statycznych nowych struktur półprzewodnikowych, określanych jako struktury SMIS. Struktury te należy zaliczyć do grupy przyrządów unipolarnych z izolowaną bramką które wykorzystują właściwości prostujące złącza metal - półprzewodnik. Zaprezentowano podstawowe charakterystyki jednego z przyrządów typu SMIS i podstawowe zjawiska fizyczne istotne dla tego rodzaju struktur. Otrzymane wyniki zestawiono z symulacjami klasycznej struktury tranzystora MOS o analogicznych parametrach konstrukcyjnych.

The results of numerical simulations of novel unipolar semiconductor structure called SMIS have been presented. The structure belongs to the family of isolate gate control devices, in which the rectifier metal - semiconductor junction is applied to form source or dren contacts. The results concerns the steady-state featurs of one of such SMIS structures and have been compared with the results obtained for clasical MOS structure having the same construction parameters.