Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Development of deposition technology and ACmeasurement of copper ultrathin layers

Wilczyńska Aleksandra, Czarnacka Karolina, Kociubiński Andrzej, Kołtunowicz Tomasz N.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

|

2022

|

T. 12, nr 1

36--39

EN

In this paper, the transport properties of discontinuous 4 nm copper layers obtained by dual-source non-reactive magnetron sputtering in the presence of argon are presented. The value of resistance and capacitance of the current parallel to the plane of these layers can be adjusted independently by changing the nominal thickness of the metallization. The influence of frequency on the conductivity of the obtained structures in the range from 4 Hz to 8 MHz was studied. Additionally, in order to compare the non-oxidized and oxidized layers, some of them were heated at 500°C. Based on the results obtained, the mechanism of electric charge transfer was determined, the knowledge of which is essential for planning further experiments based on this sputtering method and potential selection of future application of the structures. Statistical measurements at room temperature will serve as a reference for the conductivity and resistivity values obtained by mathematical calculations from measurements of resistance, capacitance, phase shift angle, and dielectric loss tangent as a function of temperature from 20 K to 375 K, which are expected in further studies on the obtained structures. The work is an introduction to the technology of obtaining multi-layer metal-dielectric structures

PL

W niniejszej pracy przedstawione zostały właściwości transportowe nieciągłych 4 nm warstw miedzi otrzymanych metodą dwuźródłowego niereaktywnego rozpylania magnetronowego w obecności argonu. Wartość rezystancji i pojemności prądu równoległego do płaszczyzny tych warstw można dostrajać niezależnie poprzez zmianę nominalnej grubości metalizacji. Przebadano wpływ częstotliwości na konduktywność otrzymanych struktur w zakresie od 4 Hz do 8 MHz. Dodatkowo, w celu porównania nieutlenionych i utlenionych warstw niektóre z nich zostały wygrzane w temperaturze 500°C. Na podstawie otrzymanych wyników określono mechanizm przenoszenia ładunków elektrycznych, którego znajomość jest niezbędna do planowania kolejnych eksperymentów bazujących na tej metodzie napylania oraz potencjalnym doborze przyszłego zastosowania struktur. Statystyczne pomiary w temperaturze pokojowej posłużą za punkt odniesienia dla wartości konduktywności i rezystywności otrzymanych na drodze obliczeń matematycznych z pomiarów rezystancji, pojemności, kąta przesunięcia fazowego oraz tangensa strat dielektrycznych w funkcji temperatury od 20 K do 375 K, które przewidywane są w dalszej części badań nad otrzymanymi strukturami. Praca stanowi wstęp do technologii otrzymywania wielowarstwowych struktur typu metal-dielektryk.

2

Magnetic ordering in ultrathin Co films grown on vicinal substrates

Stupakiewicz A., Gieniusz R., Postava K., Tekielak M., Maziewski A., Szerel I., Wawro A., Baczewski L.T.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 3

659--664

EN

The magnetic anisotropy of ultrathin Au/Co/Au magnetic films epitaxially grown on vicinal monocrystalline (11-20) sapphire substrates with different miscut angles covered with a Mo buffer are investigated by means of ferromagnetic resonance and magnetooptical techniques. Changes of in-plane magnetic anisotropy symmetry were deduced from shape analysis of the magnetization curves and angular dependence of the resonance field measured in the sample plane. Two-fold and four-fold symmetry was observed for different miscut angles. The preference of the domain wall orientation is observed. The experimental data are discussed taking into account the following energy contributions: (i) shape anisotropy; (ii) perpenducular uniaxial anisotropy; (iii) and step-induced uniaxial anisotropy.

3

Dendritic domain structures in ultrathin cobalt films

Stefanowicz W., Tekielak M., Bucha V., Maziewski A., Zablotskii V., Baczewski L.T., Wawro A.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 3

783--788

EN

We report on study of dendritic domain structures (DDS) in gold enveloped cobalt ultrathin films of thicknesses slightly below the thickness at which the reorientation from perpendicular magnetization state to in-plane state takes place. In these films magnetization reversal undergoes through the dendritic growth of domains. The magnetic aftereffect was observed. We reveal the mechanism and key parameters controlling the dendritic growth of magnetic domains.

4

An influence of the effective mass on magnetoresistance in ultrathin Fe/Cr/Fe films

Warda K., Wojtczak L., Baldomir D., Pereiro M., Arias J.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 3

731--735

EN

The transport properties of ultrathin metallic sandwich structures of Fe/Cr/Fe are studied as a function of magnetic layers thickness for the current in plane geometry (CIP). Taking into account the band structure obtained from the density functional theory (DFT), we determine the basic physical properties like Fermi energy and relaxation time calculated for each magnetic and spacer layer. Next, using the Boltzmann formalism in its extended form we obtain the results for the magnetoresistance (MR). In particular, we analyze an influence of the effective mass parametrization.

5

Wytwarzanie ultracienkich warstw SiO2 za pomocą niskotemperaturowego utleniania w plaźmie w. cz.

Bienek T., Beck R. B., Jakubowski A., Kudła A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 10

6-7

PL

Praca poświęcona jest badaniu potencjalnych możliwości zastosowania plazmy w cz. (13,56 MHz) do wytwarzania ultracienkich (<10nm) warstw SiO2.

EN

The aim of this work is the experimental study of potential possibilities of oxidation in r.f. (13.56 MHz) plasma application for the formation of ultrathin (<10 nm) oxide layers.