W artykule przedstawiono wpływ realizacji układu kluczującego na dokładność układu próbkująco-pamiętającego zaprojektowanego w scalonej technologii CMOS 350 nm. Przeanalizowano zachowanie prostych kluczy NMOS, PMOS oraz CMOS. Następnie zaprojektowano i przeanalizowano układy kluczy o specjalnej konstrukcji, wykorzystujące efekt bootstrepu. Praktyczne zastosowanie otrzymanych wyników zilustrowano projektem 12-bitowego, szybkiego układu próbkująco-pamiętającego opartego o architekturę z millerowską pojemnością próbkującą.
EN
In this article the influence of a switching circuit realization on accuracy of voltage sample-and-hold circuit is shown. Switching circuits were designed and investigated in CMOS 350 nm technology. The influence of using simple single NMOS and PMOS transistor and CMOS transistor pair on the circuit accuracy were shown. Then, a special bootstrep switching circuits were designed and investigated. Practical application of obtained results was shown by designing and analyzing 12-bit fast sample-and-hold circuit based on miller capacitance architecture.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.