Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: układ scalony CMOS

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Simple modeling approach for line impedance of on-chip CMOS interconnects

Ymeri H., Nauwelaers B., Maex K.

Journal of Technical Physics

2004

Vol. 45, no 1

71-77

Simple and accurate closed-form model enabling to calculate frequency-dependent distributed inductance and associated distributed series resistance per-unit-length of single on-chip interconnects on a lossy silicon substrate is presented. The closed-form formulas for the frequency-dependent series impedance parameters are obtained using a closed-form integration method and the vector magnetic potential equation. The proposed frequency-dependent inductance -L(omega) and resistance R(omega) per-unit-length formulas are shown to be in good agreement with the electromagnetic solutions.

Design of linear CMOS OTA using a current addition/subtraction technique

Kozieł S., Szczepański S.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

2001

Vol. 47, z. 1

121-133

An analytical design method based on a current addition/subtraction technique used to realise a linear CMOS OTA is developed. Design trade-offs are discussed and a circuit example employing three differential MOS pairs is presented. The linearity and input voltage range is significantly improved over the single pair transconductor based OTA. SPICE simulation results show that for a power supply [+,-] 2.5 V, the Total Harmonic Distortion at 2.5 Vpp is less than 0.5%.

Liniowe operacyjne wzmacniacze transkonduktacyjne (ang. Operational Transconductance Amplifier - OTA) CMOS są szeroko wykorzystywane w projektowaniu współczesnych analogowych i analogowocyfrowych systemów przetwarzania sygnałów. Jednym z głównych czynników ograniczających ich potencjalne zastosowania, na przykład w analogowych filtrach CMOS OTA-C czasu ciągłego, jest niewielka liniowość charakterystyk przejściowych. W mniejszej pracy zaprezentowano w pełni analityczną metodę projektowania wzmacniaczy operacyjnych OTA o zwiększonej liniowości wykorzystując proste modele kwadratowe tranzystorów CMOS. Przeprowadzone w szerokim zakresie badania symulacyjne za pomocą programu PSPICE potwierdziły, że uzyskane na drodze teoretycznej wartości parametrów projektowych stanowią bardzo dobry punkt startowy do projektowania układu z uwzględnieniem efektów drugiego rzędu, co świadczy o praktycznej przydatności opracowanej metody projektowania. W części końcowej pracy przedstawiono pełny schemat układowy operacyjnego wzmacniacza transkonduktacyjnego wraz z rezultatami symulacji komputerowych (symulacje przeprowadzono z uwzględnieniem wymagań technologicznych procesu 0.5 µm HP AMOS14TB, MOSIS). Uzyskane wyniki potwierdziły wysoką liniowość chrakterystyk przejściowych (THD<0.5% przy pobudzeniu sinusoidalnym 2.5 Vpp o częstotliwości 5 MHz). Również wartości innych parametrów takich jak CMRR, PSRR i DR wskazują, że proponowane rozwiązanie układowe jest konkurencyjne w stosunku do rozwiązań prezentowanych wczesniej w literaturze przedmiotu.

CMOS integrated circuit and system design for ion-sensitive FET-based biosensor applications

Chung D. W.-Y., Pijanowska D.G., Torbicz W., Wang P. C., Lin H. S., Hsieh J., Dong G. L., You M. Y.

Biocybernetics and Biomedical Engineering

2001

Vol. 21, no. 4

87-106

This paper presents a study on various CMOS circuit and system design techniques for ISFET-based biosensor applications including H(+) sensing and hand-held pH meter irnplementation. Based on constant-current and constant-voltage (CCCV) techniques, the conventional floating gate and bridge type floating source testing configurations for H(+) sensing have been compared. Low voltage (1.5 V /3 V /5 V) analog front-end readout circuits for ISFET sensors and the succeeding dual-slope A/D converter have been fabricated in a 0.5 žm double-poly and double-metal CMOS technology. For hand-held pH meter implementation, digital processing modules have been realized by using on-chip digital control circuits and a single-chip 89C51 controller. The key functions of digital processing contain two-point calibration, code converter and LCD display driver. Measurements have been shown that low voltage CMOS circuits present acceptable performance including linearity and flexibility for ISFET-based pH sensing system applications.

W artykule przedstawiono rozważania odnoszące się do różnych metod projektowania układów i systemów przeznaczonych do bioczujników opartych na tranzystorach polowych czułych na jony (ISFET-ach), w tym do ich zastosowań przy detekcji jonów H+ i do podręcznych pH-metrów. Stosując rozwiązania z zasilaniem o stałej wartości prądu i napięcia (CCCV), porównano konwencjonalne układy z pływającą bramką i układy mostkowe z pływającym źródłem, przeznaczone do detekcji H(+), wykonano z użyciem dwupolikrzemowej i dwumetalicznej technologii CMOS 0,5 žm, niskonapięciowy (1,5 V /3 V /5 V) analogowy, wejściowy układ odczytowy czujników typu ISFET i z nim współpracujący dwuzboczowy przetwornik A/D. Cyfrowe moduły sterujące podręcznego pH-metru zrealizowano używając cyfrowych układów sterujących wykonanych na płytce półprzewodnikowej i jednochipowego kontrolera 89C51. Główne funkcje cyfrowego przetwarzania obejmują dwupunktową kalibrację, konwerter kodów i sterownik wskaźnika ciekłokrystalicznego (LCD). Pomiary wykazały, że niskonapięciowe układy CMOS mają wystarczające parametry przetwarzania, w tym liniowość i podatność na różne zastosowania z wykorzystaniem detekcji pH.