PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  układ mikrofalowy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Mikrofalowy generator losowych ciągów binarnych – konstrukcja, oprogramowanie i dowód bezpieczeństwa
Leśniewicz Marek, Komorowski Piotr, Zabłocki Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 5
68--76
PL
W artykule przedstawiono opis elektronicznych i programistycznych rozwiązań sprzętowego, mikrofalowego generatora losowych ciągów binarnych o przepływności wyjściowej 1 Gbit/s. Szczególną uwagę poświęcono problemom programowej obsługi procesów przetwarzania ciągów o tak dużej przepływności. Opisano autorską metodę pomiarów i weryfikacji entropii generowanych ciągów oraz przedstawiono warunkowy, kryptograficzny dowód ich bezpieczeństwa.
EN
The article presents a description of electronic and programming solutions for a hardware, microwave random binary sequences generator with an output bit rate of 1 Gbps. Particular attention was paid to the problems of programmatic handling of string processing processes with such a high throughput. Have been described the method of measuring and verifying the entropy of the generated strings and presents a conditional, cryptographic proof of their security.
2
Content available remote Analiza możliwości sprzętowej generacji losowych ciągów binarnych z przepływnością 1 Gbit/s
Leśniewicz Marek, Komorowski Piotr, Zabłocki Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 4
207--215
PL
W artykule przedstawiono analizę możliwości sprzętowej generacji doskonale losowych ciągów binarnych z przepływnością 1 Gbit/s, wykorzystującą układy i sygnały mikrofalowe. W analizie użyto powszechnie znanych modeli generacji ciągów losowych, jednak z wykorzystaniem niestosowanych dotąd w tym celu technologii, w tym zastosowania do kreacji ciągów układów programowalnych FPGA. Analizy udokumentowano wynikami pomiarów rzeczywistych układów i sygnałów w funkcji czasu i częstotliwości za pomocą oscyloskopu i analizatora widma w paśmie 2 GHz.
EN
The article presents an analysis of the hardware capabilities of generating truly random binary strings with a bit rate of 1 Gbps, using microwave circuits and signals. The analysis uses commonly known models of random sequence generation, but with the use of technologies that have not been used for this purpose so far, including the use of FPGA programmable circuits for the creation of sequences. The analyzes were documented with the results of measurements of real systems and signals as a function of time and frequency using an oscilloscope and a spectrum analyzer in the 2 GHz band.
3
Content available remote Właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT na bazie azotku galu
Janke W., Wojtasiak W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
65-73
PL
Omówiono podstawowe właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT wykonywanych na bazie azotku galu (GaN). Przedyskutowano specyfikę struktury heterozłączowej oraz główne cechy fizyczne azotku galu. Szczególną uwagę poświęcono mechanizmowi tworzenia dwuwymiarowego gazu elektronowego (2DEG) i jego znaczeniu dla właściwości tranzystorów. Przedstawiono niektóre efekty pasożytnicze występujące w tranzystorach GaN HEMT, znane jako „current collapse” oraz „DC-RF dispersion”. Omówiono także najważniejsze obecnie zastosowania tranzystorów GaN HEMT – w układach mikrofalowych oraz energoelektronice.
EN
The basic properties and applications of GaN HEMT transistors are reviewed. Fundamentals feature of gallium nitride (GaN) and specific properties of heterojunction are discussed with the special attention paid to the mechanism of two-dimensional electron gas (2DEG) formation, and resulting high mobility feature. The parasitic effects known as current collapse and DC-RF dispersion in GaN HEMT are discussed. The most important applications in microwave circuits and power electronics are described.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.