The improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protection with the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in the half-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse Test (DPT) conditions.
PL
Poniższy artykuł prezentuje zaawansowany sterownik bramkowy do tranzystorów mocy GaN. Proponowane rozwiązanie zawiera zabezpieczenie nadprądowe/przeciwprzeciążeniowe z dwustopniowym wyłączaniem oraz umożliwia niezależne ustawienie czasu włączenia i wyłączenia tranzystora. Działanie sterownika zostało zbadane symulacyjnie i doswiadczalnie w układzie przekształtnika półmostkowego. Proponowane zabezpieczenie tranzystora zostało przetestowane w warunkach podwójnego pulsu z obciążeniem indukcyjnym (DPT).
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
The article presents the concept of a measurement system for testing the characteristics of photoconductive semiconductor switches in the blocking state and conduction state for the system voltage up to 90 kV. The results of the research obtained so far for the gallium phosphide switch (GaP), carried out for the supply voltage up to 1 kV, and for the voltage range increased to 10 kV thanks to the system created in accordance with the concept presented in the article, are also presented.
PL
W artykule przedstawiona została koncepcja układu pomiarowego do badania charakterystyk półprzewodnikowych łączników fotokonduktancyjnych w stanie blokującym i stanie przewodzenia dla napięcia układu do 90 kV. Zaprezentowane zostały także, dotychczas otrzymane wyniki badań łącznika wykonanego z fosforku galu (GaP), przeprowadzone dla napięcia zasilania do 1 kV oraz dla zakresu napięć zwiększonego do 10 kV dzięki zastosowaniu układu stworzonego według przedstawionej w artykule koncepcji.
W artykule Zbigniewa Rusaka "Problemy odnowy taboru tramwajowego w Polsce", opublikowanym w TTS 4/2001, przedstawiony został obecny stan zaspokajania potrzeb przedsiębiorstw komunikacyjnych w nowy i zmodernizowany tabor. W niniejszym artykule, będącym kontynuacją poruszanych tam zagadnień, zostanie dokonana analiza ważniejszych kierunków modernizacji.
5
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Najnowsze trolejbusy w Polsce typu 120MT są już wyposażone w nowoczesne układy impulsowego rozruchu z zastosowaniem tranzystorów IGBT. Co więcej, podobnie jak w krajach Unii Europejskiej, nowoczesne układy rozruchu impulsowego znalazły także zastosowanie w trolejbusach starszych typów, w ramach ich modernizacji.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.