PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  układ aktywny
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Gryglewski D., Góralczyk M., Sokół S.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
36-40
PL
W celu zbadania możliwości realizacji stopni wejściowych odbiorników mikrofalowych z wykorzystaniem technologii azotkowej skonstruowano wzmacniacz niskoszumny (LNA) z tranzystorem GaN HEMT wytworzony w projekcie PolHEMT. Zbudowany wzmacniacz stanowi także element weryfikacji opracowanej technologii GaN HEMT. W referacie opisano metodę modelowania szumowego tranzystora GaN HEMT oraz przedstawiono etapy projektowania wzmacniacza LNA na pasmo 1,1÷1,3 GHz.
EN
In this paper the development of the L-band low noise amplifier with GaN HEMT manufactured by consortium PolHEMT is described. The application of GaN HEMTs in the input stages of radar T/R modukles is very important issue, because the robust of the receivers may be increased as well as the limiters can be eliminated. This LNA is also a verification element of PolHEMT.
2
Content available remote Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Kuchta D., Wojtasiak W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
109-112
PL
Jednym z zadań projektu PolHEMT jest aplikacja wytwarzanych struktur GaN HEMT w realnych układach mikrofalowych stosowanych w radiolokacyjnych modułach N/O. W referacie przedstawiono projekt i wyniki badań wzmacniacza z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo 1,3÷1,7 GHz o mocy wyjściowej 1 W.
EN
One of the Pol-HEMT project aims is to implement the GaN HEMT structures in microwave circuits commonly used in T/R modules for radiolocation systems. In this paper project and experimental results of 1W L-band power amplifier with GaN PolHEMT structure are presented.
3
Content available remote Parametry tranzystorów GaN HEMT – wyniki I etapu projektu PolHEMT
Wojtasiak W., Gwarek W., Piotrowska A., Kamińska E.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
211-215
PL
Celem projektu PolHEMT jest opracowanie nowego typu tranzystora mikrofalowego na pasmo S z wykorzystaniem struktur AlGaN/GaN hodowanych na podłożach z półizolacyjnego monokrystalicznego GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną (Ammono). Referat stanowi krótkie podsumowanie pierwszego etapu projektu w formie zestawienia parametrów elektrycznych struktur GaN PolHEMT i komercyjnych tranzystorów GaN HEMT produkowanych przez wiodące firmy.
EN
The aim of the PolHEMT project is to develop a new type of microwave transistor for S-band using the structures of AlGaN/GaN grown on a uniques type of material – a semi-insulating monocrystalline GaN substrate manufactured by ammonotermal method (Ammono). The paper provides a brief summary of the first phase of the project. It presents a report on obtained electrical parameters of GaN structures and compares them against the parameters of commercial GaN HEMT transistors manufactured by leading companies.
4
Content available remote Analiza liniowa sterowanego cyfrowo oscylatora harmonicznego opartego na wzmacniaczach operacyjnych z integratorową funkcją przejścia
Topór-Kamiński L., Płaza M.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2009
|
z. 1
29-36
PL
W artykule przedstawiono model sterowanego cyfrowo oscylatora harmonicznego opartego na dwóch wzmacniaczach operacyjnych z integratorową funkcją przejścia. Dla proponowanego modelu wykonana została analiza liniowa, która pozwoliła na określenie warunków wzbudzenia oraz wartości pulsacji wytwarzanych przez układ oscylacji. Nowym ujęciem problemu badań nad oscylatorami jest zastosowanie w opisywanym układzie czterech przetworników cyfrowo-analogowych (DAC), co pozwoliło na zaprojektowanie obwodów oscylatorów, których parametry mogą być sterowane sygnałem cyfrowym.
EN
Model of digitally tuned sinusoidal oscillator based on two operational amplifiers with integrator transfer function has been presented. For the above model linear analysis was made. This analysis allowed to determine the conditions of oscillation and obtainable angular frequency range. The new approach to the problem of investigation on oscillators is applying to the circuits four digital to analog converters (DAC). This allowed to design circuits which have digitally set parameters.
5
Synteza jako projektowanie układów aktywnych
Buchacz A., Żurek K.
Systems : journal of transdisciplinary systems science
|
2004
|
Vol. 9, No. sp. I
176-183
PL
Zasadniczym celem podejmowanej pracy jest opracowanie melody poszukiwania struktury oraz parametrów, czyli syntezy strukturalnej i parametrycznej dyskretnego modelu aktywnego ukiadu mechanicznego, na podstawie żądanych wymagań odnośnie do widma częstości.
EN
The principal aim of the research taken is to work out a method of structure and parameters searching i.e. structural and parametric synthesis of discrete model of active mechanical system on the base of desired requirements for frequency spectrum.
6
Liczby strukturalne w analizie aktywnych układów mechanicznych
Buchacz A., Żurek K.
Zeszyty Naukowe Katedry Mechaniki Stosowanej / Politechnika Śląska
|
2003
|
z. 20
52-56
PL
W pracy przedstawiono modelowanie i analizę aktywnych układów mechanicznych za pomocą liczb strukturalnych. Celem przeprowadzenia takiego modelowania jest poznanie i udoskonalenie opisu i metod projektowania tak aby formalizm matematyczny w pełni ujmował istotę problemu jaki stanowi wyznaczenie charakterystyki tych układów. Przedstawiony model umożliwia również jednoznaczne rozwiązanie zadania odwrotnego, czyli syntezy.
EN
Modelling and analysis of active material systems by means of structural numbers has been shown in the thesis. The aim of such modelling is studying and improvement of the description and methods of designing so as the mathematical formalism fully explained the essence of the problem which means determination of the systems characteristic. The model shown enables as well the unique solution of the converse task i.e. synthesis.
7
Content available remote Porównanie samosterujących pneumatycznych układów zawieszenia fotela kierowcy z ekwiwalentnymi układami biernymi
Krowiak A.
Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Mechanika
|
2002
|
z. 60 [197]
325-332
EN
The paper deals with the comparison of active and passive driver's seat suspension. In the paper physical and mathematical models of suspensions based on self controlled springs are presented. The conditions of equivalency active and passive systems are discussed and chosen characteristics are shown.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.