PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tyrystory wyłączalne GTO
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Udoskonalone dyskretne wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe
Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2000
|
nr 6
290-298
PL
Przeanalizowano materiały z trzech najważniejszych międzynarodowych konferencji poświęconych energoelektronice, które odbyły się w 1999 r. Omówiono modyfikacje wysokonapięciowych przyrządów półprzewodnikowych oraz tyrystory wyłaczalne GTO i GCT. Przedstawiono tranzystory IGBT i IEGT oraz tranzystory polowe MOSPET i ich modyfikacje.
EN
Analysis of the matetials from the three most importam international conferences on power electronics held in 1999. Modifications of high voltage semiconductor instrtuments. GTO and GCT gaie-controlled swit- ches. IGBT, IEGT and MOSFET transistors and their modification.
2
Perspektywy rozwoju tyrystorów wyłączalnych
Gawecka H., Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1998
|
nr 8
458-462
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.