Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tyrystory GTO

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Tyrystor wyłączalny komutowany bramką GCT jako modyfikacja tyrystora GTO

Januszewski S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2002

Vol. 43, nr 1

14-24

Omówiono obecny stan rozwoju tyrystorów GTO. Przedstawiono budowę, zasady działania, technologię oraz możliwe dziedziny zastosowań tyrystorów GCT. Porównano właściwości i charakterystyki eksploatacyjne tranzystorów IGBT oraz tyrystorów GCT. Podano dalsze perspektywy rozwojowe tyrystorów GCT.

Gate turn-off thyristor (GTO) state of the art is described. Structure, operation principles, mode of fabrication, and possible fields of application of GCT thyristors are presented. Performance and service characteristic comparisons of IGBT transistors and GCT thyristors are discussed. Further development trends of GCT thyristors are given.

Działanie i budowa tyrystorów GTO

Lisik Z.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

2000

Vol. 46, nr 1

91-119

Mimo ogromnej ekspansji przyrządów półprzewodnikowych mocy sterowanych polowo, podstawową grupą przyrządów półprzewodnikowych mocy były i jeszcze w dalszym ciągu pozostają przyrządy bipolarne z tyrystorem GTO jako ich głównym przedstawicielem. Na przestrzeni prawie 30 lat, to jest od pojawienia się pierwszego tyrystora GTO, konstrukcja tego przyrządu podlegała szeregu istotnym zmianom mającym na celu polepszenie jego parametrów oraz sprostanie stale rosnącym wymaganiom rynku przyrządów półprzewodnikowych mocy. W pracy omówiono szczegółowo mechanizm działania tyrystorow GTO ze szczególnym uwzględnieniem zjawisk charakterystycznych dla tych przyrządów, przedstawiono drogi rozwoju ich konstrukcji oraz zasady jej optymalizacji. Szczególnie dużo uwagi poświęcono przedstawieniu nowego rozwiązania tyrystora GTO, tak zwanego tyrystora ze zintegrowaną bramką IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). Jest to najnowsze osiągnięcie konstruktorów i producentów tyrystorów GTO, będące ich odpowiedzią na konkurencję ze strony tranzystorów IGBT.

Inspite of a large expansion of field control power semiconductor devices, the bipolar power semiconductor device with their main representative, GTO thyristor, remain still the basic ones high power applications. Within the compass of almost 30 years, i. e. sine the first GTO thyristor was presented, the construction of GTO thyristors was changed significantly in order to improve their features and to be equal to increasing demands of power semiconductor device mark as well. In the paper the principles of GTO thyristor work and design have been presented in detail with a special emphasis placed on the phenomena which are characteristic for these devices. A special attention has been also devoted the presentation of a new and very promising solution of GTO, called IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). It is the newest achievement of the GTO producers and desingers, which is their response on the IGBT competition on the power semiconductor market.