W artykule przedstawiono aktualny stan technologii detektorów podczerwieni na bazie supersieci II-rodzaju ze związków InAs/GaSb. Detektory te wytwarzane są metodą epiaksji z wiązek molekularnych MBE w Instytucie Technologoii Elektronowej (ITE) w Warszawie.
EN
Present state of technology of infrared detectors based on InAs/GaSb type-II superlattice is presented. Detectors of this type are fabricated by molecular beam epitaxy MBE at the Institute of Electron Technology (IET) in Warsaw.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.