Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: type II superlattice

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Detektory na bazie supersieci II rodzaju InAs/GaSb dla zakresu promieniowania średniej podczerwieni

Kaniewski J., Jasik A., Sankowska I., Czuba K., Papis-Polakowska E., Jureńczyk J., Sakowicz M., Regiński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 8

27--34

Fotodetektory średniej podczerwieni wykorzystywane są w wielu zastosowaniach, np. wojskowych, medycznych czy przemysłowych. W ostatnich latach supersieci II rodzaju InAs/GaSb wykazały ogromny potencjał pozwalający na zastąpienie powszechnie wykorzystywanych przyrządów bazujących na HgCdTe. Niestety pomimo starań wielu grup badawczych nadal nie udało się w pełni wykorzystać ich możliwości. W pracy zaprezentowano obecny stan technologii wytwarzania fotodetektorów na bazie supersieci II rodzaju InAs/GaSb, pracujących w zakresie od 3 do 5 μm, w Instytucie Technologii Elektronowej (ITE). Opisane zostały kolejne etapy: krystalizacja supersieci, charakteryzacja struktur epitaksjalnych, technologia przyrządów oraz charakteryzacja elektryczna i optyczna detektorów. Na koniec porównano uzyskane parametry użytkowe fotodetektorów dostępnych komercyjnie i wytwarzanych w ITE.

Mid-infrared photodetectors are used in many industrial, medical and military applications. In recent years type II InAs/GaSb superlattices have shown great potential, which could allow them to substitute commonly used HgCdTe devices. Despite the effort of many research groups full capabilities of this material have not been utilized yet. In this paper an overview of type II InAs/GaSb photodetector (3–5 μm) technology in Institute of Electron Technology (IET) is presented. The following stages have been described: epitaxy of superlattices, characterization of epitaxial structures, processing and characterization of devices. At the end parameters of photodetectors manufactured in IET have been compared with those of commercially available devices.

Type-II InAs/GaSb photodiodes and focal plane arrays aimed at high operating temperatures

Razeghi M., Abdollahi Pour S., Huang E. K., Chen G., Haddadi A., Nguyen B. M.

Opto-Electronics Review

2011

Vol. 19, No. 3

261-269

Recent efforts to improve the performance of type II InAs/GaSb superlattice photodiodes and focal plane arrays (FPA) have been reviewed. The theoretical bandstructure models have been discussed first. A review of recent developments in growth and characterization techniques is given. The efforts to improve the performance of MWIR photodiodes and focal plane arrays (FPAs) have been reviewed and the latest results have been reported. It is shown that these improvements has resulted in background limited performance (BLIP) of single element photodiodes up to 180 K. FPA shows a constant noise equivalent temperature difference (NEDT) of 11 mK up to 120 K and it shows human body imaging up to 170 K.