Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Hallotron jako element obwodu sterowany polem magnetycznym

Warsza Z.L.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2007

|

R. 83, nr 1

57-64

PL

Omówiono schematy zastępcze hallotronu jako czterokońcówkowego elementu (47) obwodu i jako czwórnika odwzorowujące jego parametry wynikające ze zjawiska podstawowego, niedoskonałości hallotronu i zjawisk pasożytniczych. Podano impedancyjny układ równań hallotronu jako czwórnika, wyznaczono jego macierz admitancyjną i współczynniki rozwinięcia w szereg względem pola magnetycznego B dla trzech podstawowych parametrów układu hallotronowego, tj.: czułości oraz rezystancji wejściowej i wyjściowej, w słabych oraz silnych polach magnetycznych. Zamieszczono podsumowanie i literaturę.

EN

Equivaient schemes of Hali effect sensor as four terminal (47) circuit element and as twoport are discussed. Its parameters resuited from basie and parasitic effects and imperfeetions of Hall devices and impedance set of its twoport equations are given. Equations of power series coefficients to the induction B ofthree main parameters of Hall circuit, i.e. its voltage to current sensitivity and input and output resistances are found for week and strong magnetic field. Summary and literature is included.

2

Hallotron jako czwórnik sterowany polem magnetycznym

Warsza Z. L.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika

|

2006

|

z. 29 [233]

265-278

PL

Omówiono schematy zastępcze hallotronu jako czwórnika odwzorowujące jego parametry wynikające ze zjawiska podstawowego, niedoskonałości hallotronu i zjawisk pasożytniczych. Podano impedancyjny układ równań hallotronu jako czwórnika, wyznaczono jego macierz admitancyjną i postacie współczynników rozwinięcia w szereg względem pola magnetycznego B trzech podstawowych parametrów układu hallotronowego, tj.: jego czułości oraz rezystancji wejściowej i wyjściowej, przy słabych oraz silnych polach magnetycznych. Zamieszczono też podsumowanie i literaturę.

EN

Equivalent schemes of Hall effect sensor as twoport are discussed. Its parameters result from basic and parasitic effects and imperfections of Hall devices and impedance set of its twoport equations are given. Equations of power series coefficients to the induction B of three main parameters of Hall circuit, i. e. its voltage to current sensitivity and input and output resistances are found for week and strong magnetic field Summary and literature is also included.

3

Dokładność mostka rezystancyjnego jako czwórnika. Część 1 Wzory podstawowe miar transmitancji

Warsza Z. L.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2006

|

R. 52, nr 9 bis

193--197

PL

Po krótkim wprowadzeniu, dla układu czterozaciskowego o zmiennych rezystancjach wewnętrznych pracującego jako czwórnik podano schemat zastępczy w postaci układu mostkowego 4R. Wyznaczono parametry jego równań impedancyjnych i zależności prądowo-napięciowej transmitancji rozwarciowej jako funkcji zmiennych rezystancji ramion w wartościach bezwzględnych i względnych oraz miary dokładności tej transmitancji, tj. jej błędy bieżące, graniczne i miary losowe średniokwadratowe (błędy przypadkowe lub niepewności pomiarowe). Zestawiono je w kolumnie a) tabeli 1. W kolumnie b) tej tabeli dla porównania zamieszczono miary transmitancji napięciowej mostka. Podsumowano wyniki pracy i dołączono bibliografię.

EN

After short introduction the equivalent scheme and equations of the four terminal (4T) network of variable resistances working as twoport X, i.e. the four-arm resistance bridge (4R), is given. Its open circuit current to voltage transmittance, as function of independently variable bridge arm resistances expressed in absolute and relative values is presented. Formulas of its accuracy measures, i.e. instantaneous and limited systematic errors and mean square random measures (errors or uncertainties) are obtained and put in column a) of Table 1. They could be compared with measures of bridge voltage transmittance given in the column b). Summary and basic literature is included.

4

Miary dokładności parametrów zewnętrznych mostka rezystancyjnego jako czwórnika typu X - część 1. Wzory podstawowe i miary transmisji napięciowo-prądowej

Warsza Z. L.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika

|

2005

|

z. 28 [223]

213-227

PL

W części 1 (z 2), po krótkim wprowadzeniu, podano równania impedancyjne liniowego pasywnego (SLS) układu prądu stałego jako czwórnika o zmiennych parametrach wewnętrznych i jego schemat zastępczy - czwórnik typu X, czyli mostek czteroramienny (4R). Jego zewnętrzne parametry rozwarciowe, tj. transmitancję napięciowo-prądową oraz rezystancje: wejściową i wyjściową, przedstawiono juko funkcje rezystancji ramion oraz ich początkowych wartości i przyrostów od stanu równowagi. Wyznaczono ich błędy bieżące, systematyczne graniczne oraz średniokwadratowe miary losowe jako funkcje niezależnie zmiennych wartości i miar rezystancji ramion mostka. Podano błędy napięcia wyjściowego nieobciążonego mostka 4R przy zasilaniu prądowym oraz zanalizowano błędy bieżące i graniczne jego transmitancji napięciowo-prądowej dla przypadków szczególnych. Powyższe rozmnażania ukierunkowane są na pomiary wieloparametrowe, a pomiary jednoparametrowe traktuje się jako ich przypadek szczególny.

EN

In the introduction fields of the bridge circuit application in measurement are shortly pointed. The derivation of their accuracy procedures, is divided to forward and backward one. Four-arm resistance bridge (4R) working as the type X twoport is shown on Fig.1. Formulas of its equations and terminal impedance parameters are given as functions of its arm resistances independently variable or of their initial values in the bridge balance and increments from this stage. By differentiation of this formulas their accuracy measures are obtained. i.e. instantaneous and limited systematic errors and mean square random errors (or uncertainties), of the open circuit current to voltage-transmiitance, and of input and output resistances of the 4R bridge. Those measures have been discussed in general case of independently variable four arm resistances and in particular cases of the bridge. i.e. for different number of variable arms and ratios of its initial resistances. different values of their increments and relations between them. Error formulas of the output open-circuit voltage of the current supplied bridge are also given and discussed. Basic formulas of accuracy measures are completed in Table 1. Literature list to both parts of this publication is also included.

5

Miary dokładności parametrów zewnętrznych mostka rezystancyjnego jako czwórnika typu X - część 2. Parametry zewnętrzne mostka 4R i ich miary przy zasilaniu napięciowym

Warsza Z. L.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Elektrotechnika

|

2005

|

z. 28 [223]

229-236

PL

W kontynuacji części 1 podano parametry zewnętrzne nieobciążonego mostka 4R jako czwórnika o zasilaniu napięciowym i wyznaczono ich miary dokładności. Szczegółowo zanalizowano błędy rozwarciowej transmitancji napięciowej tego mostka wraz z przypadkami szczególnymi oraz omówiono błędy rezystancji wejściowych i ich przyrostów. Miary dokładności transmitancji mostka 4R dla zasilania napięciowego zestawiono w Tabeli 2. krótko podsumowano wyniki obu części pracy.

EN

In this 2nd part of paper, scheme of the 4R bridge as twoport X of variable arm resistances and of voltage supply is given on the Fig 2. Formulas of its basic terminal parameters and of their errors as functions of its open circuit impedance parameters and their errors are given. Errors of the bridge supplied by voltage source are considered in details, i.e. errors of the voltage transmittance of open-circuit output, input and output resistances of this bridge and errors of their increments are described and discussed in details including some particular cases. Accuracy measures of voltage to voltage transmittances of the output circuit open-bridge: are put in the Table 2 for the comparison with current to voltage ones given in Table 1 of Part 1. For both types of the supply measures differently depend on relative initial resistance and on their increments. Literature to both sides and English abstract of first eight chapters is located in the end of Part 1.