Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2016

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tunelowanie międzypasmowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model teoretyczny tunelowego tranzystora polowego

Wiśniewski P., Majkusiak B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 7

33--38

W pracy przestawiono model fizyczny tranzystora tunelowego polowego (TFET). Model bazuje na rozwiązaniu równania Poissona oraz równań ciągłości dla prądu elektronów i dziur w dwóch wymiarach. Tunelowanie zostało uwzględnione poprzez nielokalny model generacji międzypasmowej. Omówiono zasadę działania tranzystora TFET oraz przedstawiono wyniki obliczeń. Wygenerowano przykładowe charakterystyki wyjściowe oraz przejściowe dla różnych parametrów struktury DG (double gate).

In this work a physical model of tunnel field effect transistor (TFET) was introduced. The model is based on the solution of Poisson equation and electron and hole continuity equations in two dimensions. The tunneling process has been taken into account by non -local interband generation model. Working principle of TFET has been discussed and numerical results were presented. Output and transfer characteristics for DG (double gate) structure with various parameters were generated.