Opisano proces wytwarzania podwieszanych belek wykorzystujący głębokie trawienie monokrystalicznego GaAs. Przetestowano dwa systemy trawiące: na bazie kwasu fosforowego i cytrynowego. Najlepsze wyniki, zapewniające wytworzenie regularnych podwieszanych struktur uzyskano w roztworze kwasu cytrynowego w podwyższonej temperaturze przy użyciu maski z pozytywowego fotolakieru AZ 1813. Wytworzone struktury dają możliwość monolitycznej integracji z przyrządami elektronicznymi i optoelektronicznymi.
EN
The process of fabrication of suspended beams utilizing deep anisotropic etching of monocrystalline GaAs substrate has been described. Two etching formulas, based on citric and phosphoric acid have been tested. The best results, assuring successful fabrication of suspended structures were achieved in citric acid based solution at elevated temperature with AZ 1813 positive photoresist as etching mask. Obtained structures provide a great potential for monolithic integration with electronic or optical devices.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.