Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: trawienie ICP

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

Ekielski M., Juchniewcz M., Piotrowska A.

Przegląd Elektrotechniczny

2013

R. 89, nr 10

57-60

Omówiono podstawy technik litografii z wykorzystaniem procesu nanostemplowania (NIL), dokonano przeglądu materiałów do wytwarzania stempli oraz rezystów do kształtowania wzorów, przedyskutowano najważniejsze problemy występujące przy implementacji procesów NIL w praktyce. Zaprezentowano wyniki prac własnych nad wytwarzaniem periodycznych nanostruktur GaN o wymiarach krytycznych od 50 do 300 nm przy pomocy technik Th-NIL oraz UV-NIL z użyciem replik polimerowych oraz trawienia ICP w plazmie BCl3/Cl2.

Fundamentals of Nanoimprint Lithography (NIL) have been presented, stamp materials, resists and fabrication processes have been overviewed, main problems encountered in implementing NIL in practice have been discussed. Recent results on fabrication periodic GaN nanostructures with critical dimensions ranging from 50 to 300 nm by using Th-NIL and UV-NIL combined with polymer replicas and ICP etching in BCl3/Cl2 plasma have been presented.

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

Kruszka R., Korwin-Mikke K., Pasternak I., Wzorek M., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 9

32-36

W pracy przedstawiono wyniki badań procesów kształtowania wzorów w azotku galu i węgliku krzemu przy użyciu techniki fotolitografii optycznej oraz trawienia plazmowego ICP. Do trawienia GaN stosowano plazmy chlorowe BCl₃/Cl₂ lub CI₂/Ar. Natomiast do trawienia SiC użyto plazmy chlorowej BCl₃/Cl₂ oraz plazmy freonowej CF₄. Trawienia GaN i SiC prowadzono przez maski metaliczne (Cr), tlenkowe (SiO₂) oraz złożone (Cr/SiO₂). Porównano szybkości trawienia w różnych rodzajach plazm oraz chropowatość powierzchni przed trawieniem i po procesie trawienia.

This work concerns results of the studies on forming ot the patterns in gallium nitride and silicon carbide using optical photolithography and plasma etching techniques. For GaN etching chlorine plasma BCl₃/Cl₂ or CI₂/Ar were used. SiC has been etched in BCl₃/Cl₂ chlorine and freon CF₄ plasmas. The rate of etching in different types of plasmas and surface roughness before and after etching process were compared.