Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Wiadomości Elektrotechniczne

1 2001

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzytor bipolarny

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ impulsowych zakłóceń elektromagnetycznych na obwód z tranzystorem bipolarnym

Fagiewicz K., Witkowski S.

Wiadomości Elektrotechniczne

2001

R. LXIX, nr 10

431-434

Zakłócenia impulsowe powstają w wyniku zaburzeń elektromagnetycznych towarzyszących m.in. procesom łączeniowym w obwodach z indukcyjnością, wyładowaniom elektrostatycznym będących skutkiem przebicia izolacji pomiędzy naładowanym elektrostatycznie obiektem a urządzeniem oraz wyładowaniom atmosferycznym w sieć zasilającą. Do środowiska urządzeń elektrycznych zakłócenia mogą przenikać przewodami sieci zasilającej lub poprzez układy sprzężeń występujące pomiędzy siecią lub innym obiektem a danym urządzeniem. W zależności od energii i liczby impulsów, ich amplitudy, przebiegu czasowego i toru sprzężenia, zakłócenia impulsowe mogą spowodować okresowo zablokowanie pracy tranzystora, a także parametryczne lub trwałe jego uszkodzenie [2]. Mając na uwadze wymagania w zakresie kompatybilności elektromagnetycznej, które powinny spełniać urządzenia zawierające tranzystory, badanie odporności elementów elektronicznych na zakłócenia impulsowe nabiera coraz większego znaczenia. Dlatego zajmują się nimi wyspecjalizowane laboratoria kompatybilności elektromagnetycznej, pracujące na potrzeby konstruktorów przyrządów półprzewodnikowych i układów energoelektronicznych, a także na użytek technik specjalnych. Badania zostały przeprowadzone w Katedrze Energoelektroniki i Maszyn Elektrycznych Politechniki Gdańskiej.

Influence of the pulse interference caused by electromagnetic disturbances in the vicinity of the equipment in use upon a circuit with a bipolar junction transistor. Parameters of the disturbing impulses and testing procedure. Results of the examinations.