Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

E-mail, E-papier E-skóra ?

Łapkowski M., Jarosz T.

Chemik

|

2012

|

Vol. 66, nr 2

119-122

PL

Przeszczepianie skóry jest zagadnieniem znanym już na dwa i pół tysiąca lat przed naszą erą, kiedy to przeprowadzano pierwsze eksperymenty z jej zakresu. Najnowszymi owocami tej dziedziny jest tzw. e-skóra - membrana wrażliwa na nacisk. Ostatnimi czasy ogłoszono powstanie dwóch jej modeli, autorstwa niezależnych zespołów naukowców. Artykuł opisuje ich budowę oraz zasadę funkcjonowania, a także opracowany wcześniej czujnik ciśnienia, który mógł stanowić inspirację dla twórców e-skóry.

EN

The first experiments that gave birth to the discipline of skin grafting date back to two and a half millennia B.C. The most recent fruit of this branch of science is e-skin - a pressure-sensitive membrane. Lately, the completion of two models of such a membrane by independent research teams has been announced. The article describes the construction and the operating principles of those models, as well as a pressure sensor that has been developed before them and might have served as a source of inspiration for the creators of the e-skin.

2

Mikroelektroniczne i optoelektroniczne przyrządy sensorowe z warstwami diamentowymi i diamentopodobnymi

Śmietana M., Werbowy A., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 9

126-130

PL

Praca przedstawia badania nad możliwością dostosowania technologii wytwarzania czujnikowych struktur mikroelektronicznych i optoelektronicznych do specyficznych wymagań narzucanych przez procesy osadzania warstw diamentowych i diamentopodobnych. Opracowano i zrealizowano złożone procesy technologiczne przygotowania podłoży, a także osadzania i trawienia warstw węglowych, co dało możliwość wytworzenia czujnikowych struktur światłowodowych oraz tranzystorów FET z otwartą bramką. Dowiedziono, iż w przypadku czujników światłowodowych warstwy diamentopodobne mogą wielokrotnie zwiększać czułość wytworzonych przyrządów na zmiany koncentracji związków chemicznych w roztworach wodnych.

EN

Work presents researches on adaptation of microelectronic and optoelectronic sensing structures technology to specific requirements imposed by deposition processes of diamond and diamond-like carbon films. There were developed complex technological processes of substrates preparation, as well as deposition and processing of carbon films, in order to fabricate fibre optic sensing structures (e.g. long-period gratings) and also microelectronic open-gate field effect transistors. It was proven that in case of fibre optic sensors diamond-like carbon film overlay can multiple their sensitivity to variations of concentration of chemical compounds in water solutions.

3

Tranzystory organiczne

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2003

|

Vol. 44, nr 10

12-16

PL

W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

EN

The paper presents device construction, operation principles and some basic characteristics related to organic field-effect transistors shortly reviewing recent progress in the subject. The paper outlines the organic type TFT and SIT transistors made from easily processable and partially ordered flexible organic materials. The authors give also attention to the birth of the molecular field-effect transistor.

4

Udoskonalone dyskretne wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe

Januszewski S.

Wiadomości Elektrotechniczne

|

2000

|

nr 6

290-298

PL

Przeanalizowano materiały z trzech najważniejszych międzynarodowych konferencji poświęconych energoelektronice, które odbyły się w 1999 r. Omówiono modyfikacje wysokonapięciowych przyrządów półprzewodnikowych oraz tyrystory wyłaczalne GTO i GCT. Przedstawiono tranzystory IGBT i IEGT oraz tranzystory polowe MOSPET i ich modyfikacje.

EN

Analysis of the matetials from the three most importam international conferences on power electronics held in 1999. Modifications of high voltage semiconductor instrtuments. GTO and GCT gaie-controlled swit- ches. IGBT, IEGT and MOSFET transistors and their modification.