PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystory mocy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Współczesne tranzystory mocy w impulsowych przekształtnikach napięcia Flyback
Janke W., Bączek M., Kraśniewski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 9
10--13
PL
W pracy omówiono współczesne tranzystory mocy używane najczęściej w impulsowych przekształtnikach mocy i porównano ich przydatność. Najwięcej uwagi poświęcono tranzystorom HEMT z azotku galu. Zaprezentowano i porównano parametry techniczne różnych odmian tranzystorów dostępnych komercyjnie. Jako przykład zastosowań omawianych tranzystorów pokazano impulsowe przekształtniki Flyback i przedstawiono wybrane charakterystyki tych przekształtników.
EN
Modern power transistors used currently in switch mode power converters are described and compared. The special attention is devoted to HEMT transistors made of gallium nitride (GaN). The representative parameters of commercially available transistors are presented and discussed. The exemplary application of the discussed transistors in switch-mode Flyback converters is presented.
2
Content available remote Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy
Śleszyński W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 6
143--148
PL
W artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu oraz degradacji izolacji bramkowej.
EN
This paper presents several methods for condition monitoring of power transistors that are or can be embedded in power converters. The aim of this article is to determine the current state of research on that subject. The presented methods are designed to monitor important ageing effects encountered in power modules: structure delamination as a result of thermomechanical solder fatigue, wire-bond lift-off and gate insulation degradation.
3
Content available remote Dobór tranzystorów falownika 300VDC/100kHz do pracy w podwójnym mostku aktywnym
Nowak M., Grzejszczak P., Zdanowski M., Barlik R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 11
60-63
PL
W referacie przedstawiono studium doboru tranzystorów do mostka wysokonapięciowego 300V na przykładzie prototypowego przekształtnika stosowanego do sprzęgania źródeł napięcia – podwójnego mostka aktywnego o wysokiej częstotliwości pracy 100 kHz. Jako kryterium oceny przyjęto minimalne straty energii występujące w łącznikach. Dla grupy wstępnie wyselekcjonowanych handlowych tranzystorów typu MOSFET oraz superszybkich IGBT wyznaczono i porównano straty energii w charakterystycznych warunkach pracy. Przy szacowaniu strat przewodzenia posłużono sie symulacjami na podstawie parametrów katalogowych natomiast przy wyznaczenia strat łączeniowych przeprowadzono badania laboratoryjne.
EN
In this paper a study of the transistors selection suitable for a high voltage 300V bridge, being part of a laboratory prototype of a bidirectional dc/dc interface (DAB) working with the frequency of 100 kHz, is presented. The basis for this selection is the minimum energy lost in the inverter switches. For the group of fast switching IGBTs and different types of high voltage MOSFETs (as CoolMOS, MDmeshMOS and others) available in the market energy losses were estimated. In the case of conducting losses, the simulation model based on a data sheet parameter was used and the switching losses were measured in a laboratory.
4
Content available remote Udoskonalony układ RLC do magnesowania magnesów trwałych
Życki Z.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2007
|
R. 83, nr 1
97-103
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnego układu magnesującego RLC, przeznaczonego do magnesowania magnesów trwałych. W omawianym układzie zastosowano kondensatory elektrochemiczne - dwuwarstwowe, zamiast kondensatorów elektrolitycznych lub z izolacją papierową nasycaną olejem. Zastosowano również tranzystory mocy zamiast tyrystorów.
EN
The paper presents results of investigation into an experimental RLC system intended for magnetizing permanent magnets. Double - layered electrochemical capacitors were used in the presented system instead of electrolytical capacitors or those with oil - impregnated paper insulation. Power transistor were also used instead of thyristors.
5
Tranzystory mocy typu MOS z węglika krzemu
Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 7
11-17
PL
W pracy dokonano przeglądu literatury dotyczącej opracowanych laboratoryjnych struktur tranzystarów MOS mocy z węglika krzemu. Przedstawiono charakterystyki i podstawowe parametry tych elementów. Omawiane tranzystory, ze względu na rodzaj kanału, podzielono na dwie zasadnicze grupy - tranzystory z kanałem inwersyjnym (indukowanym) oraz z kanałem akumulacyjnym (wbudowanym).
EN
This paper deals with the literature review of the SiC power MOS transistors elaborated, fabricated and investigated in the laboratories of the known electronic concerns and some universities. The parameter values and characteristics are also presented. Depending on the kind of the channel, the SIC MOSFETs with the inversion and accummulation channel respectively, have been distinguished and discussed.
6
Laserowe wytwarzanie połączeń drutowych w tranzystorach mocy.
Pawlak R.
Prace Naukowe Instytutu Podstaw Elektrotechniki i Elektrotechnologii Politechniki Wrocławskiej. Konferencje
|
1998
|
Vol. 34, nr 10
291-294
PL
W pracy omówiono nową metodę wytwarzania wyprowadzen drutowych do struktur tranzystorów mocy. Jest ona szczególnie predestynowana do montażu wyprowadzen w tranzystorach IGBT, które nie mogą być wytwarzane jako 'large area device'. Nowa technologia to wysoce niezawodne, spawane laserem połączenie drutu do metalizacji struktury półprzewodnikowej. Ze względu na warunki termiczne połączenie spawane realizowane jest do płytki pośredniczącej, dołączonej do metalizacji inną metodą. Zaproponowano konfigurację połączenia spawanego oraz optymalny, z punktu widzenia nowej technologii, dobór materiałów na elementy połączenia. Przedyskutowano technologiczne aspekty wytwarzania połączeń wykonanych do półprzewodnikowych struktur testowych. Przeprowadzono badania metalograficzne.
EN
In the paper a new method for producing wire terminals from power transistor structures has been presented. The method is particularly useful for the assembly of terminals in IGBT transistors, which cannot be produced as large area devices. The new technology is highly reliable, laser-welded wire connection to the metallization of the semiconductor structure. In consideration of thermal conditions, the welding joint is made to the intermediate metallic plate bonded to the metallization by a different method. A configuration of the welding joint and an optimal - from the view point of new technology - selection of materials for the welding elements have been proposed. Technological aspects of producing connections made to the test semiconductor structures have been discussed. Metallographic investigations have been made. The first results of investigations have also been presented.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.