Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystory jednoelektronowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie kropek kwantowych

Mączka M.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

2005

Vol. 51, z. 2

223--238

Niniejszy artykuł dotyczy kropek kwantowych formowanych elektrostatycznie wewnątrz tranzystora jednoelektronowego. Przyrząd ten wytwarzany jest w oparciu o technologię bramek powierzchniowych z wykorzystaniem struktury ISIS (ang. Inverted Semiconductor Insulator Semiconductor). Praca jest kontynuacją badań nad doskonaleniem numerycznego modelu omawianego tu przyrządu i dotyczy uproszczenia polegającego na traktowaniu elektrod polaryzujących jako nieskończenie cienkie powierzchnie metaliczne. W niniejszej pracy przedstawiono wpływ grubości elektrod na rozkład potencjału w obszarze formowania kropki kwantowej w oparciu o nowy model przyrządu.

The work concerns quantum dots formed electrostatically inside the single-electron transistors. These devices are produced with superficial gate technology in inverted semiconductor-insulator-semiconductor structure. M.A. Kastner [5] proposed the first such a device in 1991. The structure of the single-electron transistor In this article quantum dots are modeled with the use of the confined potential formed by electrostatic field. The numerical method of dissolving Poisson equation in these devices is described. The Method uses Boundary Elements. Potential distributions are calculated with the use potential density functions of the single layer. These functions physically are related to density of charge. In previous works in the calculations an infinitely thin polarizing electrodes were assumed. In the present paper the influence of electrodes thickness onto potential distributions is examined. This require the previous model to be renewed. In the work the comparison of potential distributions in old and new numerical model is presented. The numerical investigations of potential distributions, with the use of new model show, that the finite thickness of polarizing electrodes, to some extent changes the shape of the potential forming a quantum dot. This change depend on electrode, which is considered. Generally speaking confining potential is more sensitive to the thickness of upper electrodes than to thickness of electrodes of sources or drain.