PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 1 Wiadomości Elektrotechniczne
Autorzy help
  1. 1 Gawecka H.
  2. 1 Januszewski S.
Lata help
  1. 1 1999
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystory energoelektroniczne
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Porównanie charakterystyk eksploatacyjnych tranzystorów energoelektronicznych MOSFET i IGBT
Januszewski S., Gawecka H.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
1999
|
nr 11
590-593
PL
Przedstawiono strukturę, właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów polowych MOSFET i bipolarnych z izolowaną bramką IGBT. Omówiono zdolność łączeniową i obciążalność prądową tranzystorów MOSFET i IGBT.
EN
Structure,static and dynamic properties of field effect transistors MOSFET and bipolar transistors IGBT. Switchability and currentcarrying capacity of the MOSFET and IGBT transistors
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.