Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystory cienkowarstwowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Amorficzne półprzewodniki tlenkowe dla elektroniki przezroczystej i elastycznej

Kaczmarski J., Taube A., Borysiewicz M., Myśliwiec M., Boll T., Stiller K., Kamińska E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 8

81--89

Przedmiotem badań są przezroczyste amorficzne półprzewodniki tlenkowe i przezroczyste tlenki przewodzące – unikatowa klasa materiałów elektronicznych łączących cechy amorficznej mikrostruktury i kontrolowanego przewodnictwa elektrycznego przy zachowaniu wysokiej transmisji optycznej w obszarze widzialnym. W ramach prac prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej opracowano technologię wytwarzania przezroczystych amorficznych warstw In-Ga-Zn-O o kontrolowanych w szerokim zakresie właściwościach transportowych. Zrozumienie mechanizmów formowania się amorficznych warstw tego materiału oraz wpływu parametrów procesu osadzania na jego właściwości elektryczne umożliwiło wytworzenie stabilnych kontaktów prostujących oraz całkowicie przezroczystych tranzystorów MESFET na giętkich podłożach, w tym na folii i papierze. W przyszłości na bazie opracowanych przyrządów wytworzone zostaną zintegrowane telemedyczne systemy diagnostyki osobistej wykonane w formie elementów przyklejanych na skórę.

The subject of work is an unique class of materials, namely transparent amorphous oxide semiconductors. These combine amorphous microstructure and optical transparency in visible wavelength spectrum with controllability of electrical conductivity, resulting in conductive to highly-resistive thin films. Within the work performed at the Instytut Technologii Elektronowej the technology of transparent and amorphous In-Ga-Zn-O thin films was elaborated. Understanding the mechanisms of the amorphous phase formation and structure-property correlation paradigm allows us to fabricate reliable Schottky barriers and fully transparent thin-film transistors on such flexible substrates as foil and paper. The performed work is the basis for future research concerning integrated autonomous Point-of-Care patch-like systems.

Materiały organiczne w elektronice

Żmija J., Małachowski M. J., Zieliński J., Wacławek M., Ścieżka K.

Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology

2006

R.11, NR 1-2

69--80

Przedstawiono przegląd wykorzystania materiałów organicznych w optoelektronice. W ostatnich latach widoczne są znaczne postępy w tym względzie zarówno naukowe, jak i aplikacyjne. Stwarza to realne podstawy, aby sądzić, że powstaje nowa licząca się gałąź nauki powiązana z interesującymi zastosowaniami, które w zakresie ciekłych kryształów (CK) są realizowane od dawna. Najnowsze publikacje pokazują niewątpliwe perspektywy inżynierii materiałowej w badaniach oraz zastosowaniu stałych półprzewodników organicznych. Omówiono ostatnie osiągnięcia w konstrukcji displejów CK, fotoogniw, ogniw słonecznych, emiterów LED, laserów oraz elementów mikroelektronicznych, zwłaszcza cienkowarstwowych tranzystorów.

Review of papers connected with wide aspects of organic material engineering and its application in optoelectronics is presented. It creates an actual basis for new important branch of science and technology, which in LC case has been realized for decades already. Last achievements in fabrication of LC displays, photoelements, solar cells, OLEDs, lasers and microelectronic devices especially thin film transistors are presented. It is evident that a significant progress in science, technology and application of organic materials has been achieved.

Tranzystory organiczne

Polowczyk M., Klugmann E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2003

Vol. 44, nr 10

12-16

W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

The paper presents device construction, operation principles and some basic characteristics related to organic field-effect transistors shortly reviewing recent progress in the subject. The paper outlines the organic type TFT and SIT transistors made from easily processable and partially ordered flexible organic materials. The authors give also attention to the birth of the molecular field-effect transistor.