Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Model hybrydowego energoelektronicznego układu zasilania wielosystemowych zespołów trakcyjnych (EZT)

Koteras Dariusz, Adamowicz Marek

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej

|

2019

|

Nr 67

137--141

PL

W artykule przedstawiono model układ hybrydowy energoelektronicznego układu zasilania wielosystemowych zespołów trakcyjnych - EZT. Istota proponowanego rozwiązania zawiera się w zastosowaniu do obniżenia napięcia sieci trakcyjnej, zamiast tradycyjnego ciężkiego transformatora trakcyjnego (chłodzonego olejem) - suchego autotransformatora pracującego z częstotliwością sieci kolejowej oraz izolacji galwanicznej od sieci trakcyjnej. Izolacja ta jest realizowana za pomocą wielopoziomowego kaskadowego przekształtnika napięcia skonstruowanego z tranzystorów SiC MOSFET. W swojej strukturze zawiera on izolowane dwumostkowe przetwornice DC-DC z transformatorami pracującymi z częstotliwością 30 kHz. Układ jest przeznaczony do napędów oraz pokładowych systemów zasilania elektrycznych zespołów trakcyjnych (EZT). Układ może być zasilany z dwóch systemów: prądu stałego - 3 kV DC oraz prądu przemiennego - 15 kV, 16,7 Hz. W referacie pokazano wyniki analizy modelowania autotransformatora trakcyjnego 16,7 Hz o mocy 30 kVA, przeznaczonego do badań laboratoryjnych oraz wyniki badań laboratoryjnych izolowanej celki przekształtnikowej AC-DC-DC-AC z tranzystorami SiC MOSFET wraz ze specjalnie zaprojektowanym transformatorem 30 kHz. Do modelowania autotransformatora trakcyjnego wykorzystano Metodę Elementów Skończonych (MES).

EN

The paper presents a system of hybrid power electronic supplying system. The main advantage of the proposed solution is in the application of dry traction autotransformer to reduce the voltage of the traction network, instead of the traditional heavy oil-cooled traction transformer. Galvanic isolation from the catenary is implemented by means of an insulated multilevel cascade voltage converter constructed of SiC MOSFET transistors and incorporating in its structure double active bridge DC-DC converters with transformers operating at 30 kHz. The system is designed for traction drives and on-board auxiliary power supply systems for electric multiple units (EMU) supplied from two power systems: 3 kV DC and 15 kV, 16.7 Hz. The paper presents the results of analysis of a 16.7Hz hybrid supplying system consisted of the autotransformer model with 30 kVA power and the isolated AC-DC-DC-AC converter cell with SiC MOSFET transistors and a specially designed 30 kHz transformer. The Finite Element Method (FEM) was used to model the traction autotransformer.

2

Analysis of the use of transistors based on SiC technology in inverters in the context of electromagnetic compatibility

Czuchra W., Woszczyna B., Mysiński W.

Czasopismo Techniczne. Elektrotechnika

|

2016

|

Y. 113, iss. 1-E

33--43

EN

Currently, manufacturers of power-electronic components are trying to introduce the silicon carbide (SiC) technology in their products and MOSFET transistors made with this technology are available on the market. They are characterised by a significantly higher operating frequency, reaching even 100 kHz and low switching losses. The application of this type of devices causes high voltage gradients at the inverter output, which can lead to increased inverter electromagnetic disturbances. This article presents test results and a high-frequency analysis, allowing for a preliminary evaluation of the use of SiC transistors in inverters in the context of electromagnetic compatibility.

PL

Obecnie producenci elementów energoelektronicznych starają się wprowadzić w swoich produktach technologię węglika krzemu (SiC) i dostępne są w handlu tranzystory MOSFET wykonane w tej technologii. Cechują się one znacznie wyższą częstotliwością pracy, sięgającą nawet 100 kHz oraz niskimi stratami przełączenia. Zastosowanie tego typu elementów powoduje występowanie dużych stromości sygnału napięciowego na wyjściu falownika, co może prowadzić do zwiększenia zaburzeń elektromagnetycznych falownika. W artykule zamieszczono wyniki badań i analiz wysokoczęstotliwościowych umożliwiające wstępną ocenę w zakresie EMC zastosowania w układzie falownika tranzystorów wykonanych w technologii węglika krzemu.

3

Sterownik bramkowy dla tranzystorów SiC pracujących w układzie mostka

Rąbkowski J., Zdanowski M., Barlik R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 12

76-79

PL

Artykuł przedstawia nowe rozwiązanie sterownika bramkowego dla tranzystorów SiC, które pracują w konfiguracji mostka. Dzięki zastosowaniu prostego źródła prądowego sterowany tranzystor osiąga dużą dynamikę procesu załączenia. Proponowany sterownik umożliwia także szybkie wyłączanie tranzystora oraz utrzymuje go w stanie wyłączenia nawet przy zmianach potencjału punktu środkowego gałęzi mostka. Omówiono zasadę działania nowego sterownika a także praktyczne aspekty zastosowania do sterowania normalnie wyłączonych tranzystorów SiC JFET pracujących w układzie mostka o częstotliwości przełączeń równej 100 kHz.

EN

The paper presents a new design of the gate drive unit for SiC transistors j operating in the bridge configuration. The transistor reaches very fast turn-on due to a simple current source applied. Proposed solution offers also very fast turn-off and keeps the JFET off in spite of the changes of the middle point potential. The paper describes operation principles of the new driver as well as practical aspects of application to control normally-off JFETs operating in the bridge configuration at 100 kHz.