Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs

Bisewski D., Zarębski J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2011

|

R. 87, nr 1

271-274

EN

The paper deals with a problem of measuring of the thermal parameters - the thermal resistance and the transient thermal impedance of MESFETs made of both the gallium arsenide (GaAs-MESFET) and silicon carbide (SiC-MESFETs). The measuring set proposed by the authors, is presented. SiC and GaAs MESFETs operating at different cooling conditions are investigated. The strong influence of the ambient temperature and the device dissipated power on the device thermal parameters are observed. The new analytical dependence of the MESFET thermal resistance on the ambient temperature and the dissipated power is proposed.

PL

Praca dotyczy problematyki pomiaru i modelowania parametrów termicznych - rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET wykonanych z arsenku galu (GaAs-MESFET) oraz węglika krzemu (SiC-MESFET). Omówiono metodę pomiaru parametrów termicznych tranzystorów MESFET z wykorzystaniem zaproponowanego przez autorów systemu pomiarowego. Przedstawiono wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tranzystorach na wartości ich parametrów termicznych.

2

Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystorów GaAs oraz SiC MESFET

Zarębski J., Bisewski D., Gimbut M., Liżewski Ł.

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

|

2008

|

nr 59

26-38

PL

W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET mocy wykonanych z różnych materiałów półprzewodnikowych. Pomiary przeprowadzono z wykorzystaniem opracowanego w Katedrze Elektroniki Morskiej Akademii Morskiej w Gdyni komputerowego systemu pomiarowego. Do badań wybrano wykonany z arsenku galu tranzystor MESFET o symbolu NE650103M (California Eastern Laboratories) oraz wykonany z węglika krzemu tranzystor o symbolu CRF24010 (Cree Inc.). Ponadto dla rozważanych elementów półprzewodnikowych zbadano wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tych elementach, zarówno na wartości rezystancji termicznej złącze-otoczenie, jak i na wybrane parametry występujące w modelu przejściowej impedancji termicznej.

EN

In the paper results of measurements of the thermal parameters of the gallium arsenide and silicon carbide power MESFETs operating at different cooling conditions, are presented. Measurements were performed by computer-aided measurement system, based on literature pulsed-electrical method. The influences of the ambient temperature and the dissipated power on the thermal parameters of the transistors were examined.

3

Modelowanie pojemności tranzystorów GaAs oraz SiC MESFET w programie PSPICE

Zarębski J., Bisewski D.

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

|

2008

|

nr 59

39-49

PL

W pracy przeprowadzono ocenę dokładności modeli pojemności tranzystora MESFET wbudowanych w programie PSPICE, poprzez porównanie wyników symulacji oraz dostępnych w literaturze przedmiotu wyników pomiarów tranzystorów MESFET, wykonanych z arsenku galu oraz węglika krzemu. Pokazano, że wbudowane modele pojemności rozważanego tranzystora nie zapewniają satysfakcjonującej dokładności. Ponadto, na przykładzie wybranego modelu zaproponowano jego modyfikacje, wpływające na poprawę zgodności wyników pomiarów i symulacji charakterystyk pojemnościowo-napięciowych.

EN

In this paper the capacitances of the MESFET models built-in in PSPICE are considered. The simulated and measured values of capacitances of GaAs-MESFET and SiC-MESFET are compared. Due to the observed discrepancies between the devices simulated and measured characteristics, modification of the drain-source capacitance of the Curtice model, improving its accuracy is proposed and tested.