Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: tranzystory HEMT

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy

Janke W.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

2016

Nr 9

5--27

Praca zawiera przegląd problematyki zastosowań tranzystorów HEMT (high electron mobility transistors) w wysokosprawnych układach przekształtników mocy. Wymieniono najważniejsze wymagania stawiane elementom półprzewodnikowym we współczesnych przekształtnikach energoelektronicznych. Przedstawiono główne cechy heterostruktur GaN-GaAlN i tranzystorów opartych na takich strukturach. Przedyskutowano różne rozwiązania konstrukcyjno-technologiczne struktur HEMT o cechach tranzystora normalnie wyłączonego (pracującego ze wzbogaceniem). Pokazano przykładowe parametry tranzystorów HEMT pracujących dla energoelektroniki. Omówiono także wybrane rozwiązania impulsowych przekształtników BUCK i BOOST oparte na tranzystorach HEMT i ich główne właściwości.

The applications of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) in modern power converters are reviewed. Basic demands for semiconductor devices used in switch-mode high efficiency power converters are summarized. Specific features of GaN-GaAlN heterostructure and HEMT’s are briefly described. Different solutions of enhancement-mode HEMT applicable in power converters of resulting parameters of HEMT-based enhancement-mode transistors are given. The exemplary power converters based on GaN HEMT’s, including BUCK and BOOST circuits are presented and their features discussed.

Spektroskopia szumowa. Cz. 2, Badania przyrządów półprzewodnikowych, szumy elektrochemiczne i emisja akustyczna w diagnostyce

Chobola Z., Hasse L., Sikula J., Spiralski L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 2

7-11

Wyniki pomiarów szumów małoczęstotliwościowych różnych obiektów stanowią cenne narzędzie diagnostyki jakości tych obiektów. W drugiej części pracy przedstawiono wybrane metody i wyniki badań szumów małoczęstotliwościowych przyrządów półprzewodnikowych, w tym nieliniowości HEMT z GaAs, elementów mocy oraz ogniw słonecznych, a także wykorzystanie w diagnostyce szumów elektrochemicznych oraz emisji akustycznej.

Results of low frequency noise measurements of different kind objects present a valuable diagnostic tool for their quality evaluation. In the second part of the paper the selected methods and results of low frequency noise measurements of semiconductor devices (nonlinearities of GaAs High Electron Mobility Transistors - HEMTs power semiconductors, solar cells) have been presented. Application of the electrochemical noise and the acoustic emission in diagnostic was described too.