PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  tranzystory GaN
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Zastosowanie tranzystorów GaN w przekształtnikach DC/DC
Paziewski Piotr, Suproniuk Marek, Perka Bogdan, Piwowarski Karol, Kaczmarek Witold
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2023
|
Vol. 64, Nr 1
29--33
PL
W artykule opisano możliwości zastosowania tranzystorów wykonanych z azotku galu GaN do układów energoelektronicznych przekształtników energii elektrycznej DC/DC. Użycie tranzystorów w technologii GaN pozwala na uzyskanie wyższych częstotliwości łączeń i sprawności w porównaniu z układami opartymi na tranzystorach SiC. Zaprezentowany został układ przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie. Przedstawiono tematykę doboru dławika oraz materiały wykorzystywane na rdzenie dławików w przekształtnikach mocy. Zaprezentowane zostały przykładowe obecnie dostępne tranzystory w technologii GaN do zastosowań w energoelektronice. Autorzy przedstawili wyniki badań symulacyjnych zaprojektowanego układu przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie w technologii GaN.
EN
The article describes the possibilities of using gallium nitride GaN transistors in power electronic DC/DC converters. The use of GaN transistors allows higher switching frequencies and efficiency compared to systems based on SiC transistors. The DC/DC boost converter was presented. The topic of choke selection and materials used for choke cores in power converters are presented. Examples of currently available GaN transistors for power electronics applications have been presented. The authors presented the results of simulation tests of the designed DC/DC boost converter in GaN technology.
2
Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN
Paziewski Piotr
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2022
|
Vol. 63, Nr 12
28--31
PL
W artykule zostały zaprezentowane wyniki badań symulacyjnych przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie. Badany układ przekształtnika oparty został o tranzystor w technologii azotku galu GaN. Skupiono się na stratach mocy występujących w łączniku. Przedstawiono sposób obliczenia indukcyjności dławika. Symulacje układu przekształtnika wykonano z wykorzystaniem pakietu PLECS. Dobór i obliczenia strat mocy w dławiku wykonano z użyciem narzędzia projektowego firmy Micrometals Arnold.
EN
The article presents the results of simulation of a DC / DC boost converter. The converter was based on a GaN transistor. The focus is on the power losses in the transistor. It also presents the method of calculating the inductance of the choke. The converter simulations were made using the software PLECS. The selection core and calculations of the choke power losses were performed with the use of a design tool by Micrometals Arnold.
3
Content available remote Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN
Paziewski Piotr
Przegląd Elektrotechniczny
|
2021
|
R. 97, nr 6
163--165
PL
W artykule zostały zaprezentowane wyniki badań symulacyjnych przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie. Badany układ przekształtnika oparty został o tranzystor w technologii azotku galu GaN. Skupiono się na stratach mocy występujących w łączniku. Przedstawiono sposób obliczenia indukcyjności dławika. Symulacje układu przekształtnika wykonano z wykorzystaniem pakietu PLECS. Dobór i obliczenia strat mocy w dławiku wykonano z użyciem narzędzia projektowego firmy Micrometals Arnold.
EN
The article presents the results of simulation of a DC / DC boost converter. The converter was based on a GaN transistor. The focus is on the power losses in the transistor. It also presents the method of calculating the inductance of the choke. The converter simulations were made using the software PLECS. The selection core and calculations of the choke power losses were performed with the use of a design tool by Micrometals Arnold.
4
Content available remote Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN
Paziewski P., Supronowicz H., Suproniuk M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 10
91--94
PL
W artykule zostały zaprezentowane przykładowe tranzystory wykonane w technologii azotku galu GaN do zastosowań energoelektronicznych. Opisano budowę i zasadę działania przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie oraz przedstawiono podstawowe założenia projektowe wraz z problemami wynikającymi z wysokich częstotliwości kluczowania i występowania znacznych prądów. Zostały również zaprezentowane wstępne wyniki badań zaprojektowanego układu.
EN
The article presents transistors made using gallium nitride GaN technology for power electronics applications. It describes the design and principle of operation of the step-up DC/DC converter and presents the basic design assumptions along with problems resulting from high switching frequencies and high currents of the inverter. It also presents preliminary results of the designed system.
5
Content available remote Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
Swadowski M., Zygoń K., Jąderko A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 1
205--208
PL
W artykule opisano przykład zastosowania nowoczesnych tranzystorów z azotku galu do wykonania prostownika synchronicznego w rezonansowym zasilaczu impulsowym. Przedstawiono zalety nowoczesnych tranzystorów GaN w porównaniu do tranzystorów MOSFET oraz diod Schottky’ego. Zredukowano straty wynikające z przewodzenia oraz straty przełączeniowe.
EN
Modern transistors made with gallium nitride in the application of synchronous rectifier in resonant switching mode power supply are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs and Schottky diodes are shown. Conduction and switching power losses are significantly reduced.
6
Content available Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
Aksamit W., Rzeszutko J.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
2016
|
Nr 49
11--16
EN
During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
PL
W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
7
Content available Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
Swadowski M., Zygoń K., Jąderko A.
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
|
2015
|
Vol. 71, nr 35
29--39
PL
W artykule opisano przykład zastosowania nowoczesnych tranzystorów z azotku galu do wykonania przekształtnika napięcia w aplikacji nagrzewnicy indukcyjnej. Przedstawiono zalety nowoczesnych tranzystorów GaN w porównaniu do tranzystorów MOSFET. Znacznie zredukowano całkowite straty mocy oraz maksymalne temperatury pracy złącz tranzystorów przekształtnika. Pokazano wyniki porównawczej analizy termowizyjnej przekształtników zbudowanych na tranzystorach MOSFET oraz GaN. Pokazano również próby działania prototypu przekształtnika z nagrzewnicą indukcyjną.
EN
Modern transistors made with gallium nitride in the application of induction heater voltage converter are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs are shown. Total power losses and maximum junctions temperature are significantly reduced.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.